非规则矩形电阻在Calibre LVS中阻值提取问题研究和实现.docVIP

非规则矩形电阻在Calibre LVS中阻值提取问题研究和实现 　　摘要：本文首先介绍了Calibre LVS的基本流程。在分析了现有的在LVS过程中电阻版图阻值提取方法的优缺点基础上提出了一种新颖的电阻的提取方法，经过Calibre LVS验证可以有效的减小了电阻阻值提取的误差，为非规则矩形电阻提取提供了一种新的、更加精确的方法 　　关键词：Calibre LVS；非规则矩形电阻；自修正系数；SOI工艺 　　 　　1Calibre LVS验证的 　　基本原理和基本流程 　　 　　LVS（Layout Versus Schematic）是用来比较版图（Layout）和电路（Schematic）晶体管数量、尺寸以及连接关系是否一致的工作，LVS工作结束以后二者的比较结果会以一个报告的形式列出，我们可以根据报告所给的信息决定是否以及如何修改版图。Calibre LVS工作流程大致如下：软件从版图中提取GDS文件，再将其转化为网表文件，从电路的输入、输出开始，进行渐进性搜索，找到一条最近的返回路径。当LVS找到一个匹配点，就给匹配的器件和节点一个匹配的状态；当LVS找到非匹配点，就停止该路径的搜索。LVS搜索完所有的路径后，所有的器件和节点都被赋予了匹配的状态。[1]通过这些状态，就可以统计出电路与版图的匹配情况。LVS的工作流程如图1所示。 　　 　　图1 Caliber LVS工作流程图[2] 　　 　　2Calibre LVS 常用的 　　电阻参数提取方法及其缺点 　　 　　 Calibre或者说集成电路验证所用到的函数都是由命令文件进行定义或描述。[3]由图1可知，版图和电路最终都是用网表进行比较，在GDS文件转化为网表文件的过程中，就需要调用我们编写的规则文件对EDA层所表达的逻辑关系和所代表的器件尺寸进行提取。以电阻为例，在已知方块电阻的情况下，电阻阻值有如下公式： 　　 R=Rsqu×（L/W） 　　 其中Rsqu为方块电阻，L/W为方块电阻数。在一般情况下，Calibre LVS对电阻的提取的步骤是先提取出电阻的宽度的和面积，再利用电阻的面积比电阻的宽度就得到了电阻的长度，进而得到电阻的方块数，这样就可以利用公式计算出电阻的阻值，Calibre LVS文件描述如下： 　　 [propertyL , W , A , R 　　 A=area（resistance） 　　 W=0.5*（perimeter_coincide 　　 （res_pin,resistance）） 　　 deltaW = 0.63e-6 　　 L = A/W 　　 R = Rsqu*（L/（W-deltaW） 　　] 　　这种电阻的提取方法的优点是比较直观，运算简单，缺点是适用范围窄，只能使用在规则的矩形条件下，而在非规则矩形的情况下就会产生很大误差。例如，在SOI工艺中如图2由于保护环的存在，在接近电阻引脚的区域，ISO保护环的圆角使得电阻的宽度略小，电阻的宽度也受此影响小于平均值，在面积不变的情况下，该误差同样影响到电阻长度的计算，在宽和长的误差双重作用下，使得原本与电路网表中近似或相等的电阻经计算后（误差为宽度误差的平方）大大偏离原值，并在LVS报告中显示参数不匹配的错误。 　　 　　图2 ISO工艺的NWELL电阻 　　 　　以长为120μm宽为20UM的高压N阱电阻为例（图3），假设方块电阻Rsqu=1325Ω/□，在规则矩形条件下我们可以计算出该电阻阻值为8209Ω。但是受边界的影响在实际的LVS中我们提取的阻值由图4可知为8478Ω，而且电阻的宽和长与实际所用电阻相比都有较大误差。 　　 　　图3 Calibre LVS所用的NWELL电阻 　　 　　如果单纯的为了保证电阻阻值的匹配而加大ISO保护环的长度，那么在电阻数量较多的版图中芯片的整体面积就会增大很多，使芯片成本升高进而影响产品的市场竞争力，因此就需要一种更加精确、适用范围更广的阻值计算方法来克服这个问题。 　　 　　3一种加入电阻 　　自修正系数的提取方法 　　 　　电阻自修正系数顾名思义，就是利用不规则矩形电阻自身产生的带有误差的宽和长计算出一个带有误差的电阻面积与所提取的准确的面积之间的差值作为修正值，对电阻的宽和长进行修正得到一组接近真实值的宽和长，再用其进行阻值计算，这样就可以得到精度较高，更加接近真实值的电阻值。 　　 　　图4 传统方法从版图提取的电阻网表 　　 　　 　　图5 保护环拐角处宽和长变化 　　 　　 由图5可知，在弯角处宽度和长度均不等于真实长度，我们假设长度和宽度的变化为ΔL和ΔW，Calibre LVS由图中保护环边界直接提取的长为L1，在拐角处提取的宽