微电子发展的规律及趋势.pptxVIP

Moore定律Moore定律1965年Intel公司的创始人之一Gordon E. Moore预言集成电路产业的发展规律集成电路的集成度每三年增长四倍，特征尺寸每三年缩小 倍Moore定律1965，Gordon Moore 预测半导体芯片上的晶体管数目每两年翻两番存储器容量60%/年 ? 每三年，翻两番10 G1 G100 M10 M1 M100 K10 K1 K0.1 K19701980199020002010 “Itanium”:15,950,000Pentium II: 7,500,000PowerPC620:6,900,000PentiumPro: 5,500,000PowerPC604:3,600,000Pentium:3,300,000PowerPC601:2,800,000i80486DX:1,200,000m68040:1,170,000i80386DX:275,000m68030:273,000m68020:190,000i80286:134,000m68000:68,000i8086:28,000M6800:4,000i8080:6,000i4004:2,300Moore定律：芯片上的体管数目 ? 微处理器性能 每三年翻两番1.E+91.E+81.E+71.E+61.E +51.E+41.E+3’70 ’74’78’82 ’86’90’94 ’98’2002微处理器的性能Peak Advertised Performance (PAP)Real AppliedPerformance (RAP) 41% GrowthMoore’sLaw80808086100 G10 GGiga100 M10 MMegaKilo802868038680486PentiumPentiumPro1970 1980 1990 2000 2010集成电路技术是近50年来发展最快的技术微电子技术的进步按此比率下降，小汽车价格不到1美分Moore定律 ?? 性能价格比在过去的20年中，改进了1,000,000倍在今后的20年中，还将改进1,000,000倍很可能还将持续 40年 等比例缩小(Scaling-down)定律等比例缩小(Scaling-down)定律1974年由Dennard基本指导思想是：保持MOS器件内部电场不变：恒定电场规律，简称CE律等比例缩小器件的纵向、横向尺寸，以增加跨导和减少负载电容，提高集成电路的性能电源电压也要缩小相同的倍数漏源电流方程：由于VDS、(VGS-VTH)、W、L、tox均缩小了?倍，Cox增大了?倍，因此，IDS缩小?倍。门延迟时间tpd为：其中VDS、IDS、CL均缩小了?倍，所以tpd也缩小了?倍。标志集成电路性能的功耗延迟积PW?tpd则缩小了?3倍。恒定电场定律的问题阈值电压不可能缩的太小源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小电源电压标准的改变会带来很大的不便恒定电压等比例缩小规律(简称CV律)保持电源电压Vds和阈值电压Vth不变，对其它参数进行等比例缩小按CV律缩小后对电路性能的提高远不如CE律，而且采用CV律会使沟道内的电场大大增强CV律一般只适用于沟道长度大于1?m的器件，它不适用于沟道长度较短的器件。准恒定电场等比例缩小规则，缩写为QCE律CE律和CV律的折中，世纪采用的最多随着器件尺寸的进一步缩小，强电场、高功耗以及功耗密度等引起的各种问题限制了按CV律进一步缩小的规则，电源电压必须降低。同时又为了不使阈值电压太低而影响电路的性能，实际上电源电压降低的比例通常小于器件尺寸的缩小比例器件尺寸将缩小?倍，而电源电压则只变为原来的?/?倍微电子技术的三个发展方向微电子技术的三个发展方向21世纪硅微电子技术的三个主要发展方向特征尺寸继续等比例缩小集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC)微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科，例如MEMS、DNA芯片等微电子器件的特征尺寸继续缩小第一个关键技术层次：微细加工目前0.09?m已开始进入大生产0.045? m大生产技术也已经完成开发，具备大生产的条件互连技术与器件特征尺寸的缩小（资料来源：Solidstate Technology Oct.,1998）微电子器件的特征尺寸继续缩小第三个关键技术新型器件结构新型材料体系高K介质金属栅电极低K介质SOI材料 栅介质的限制传统的栅结构 硅化物 重掺杂多晶硅SiO2 经验关系: L?Tox Xj1/3 随着 tgate 的缩小，栅泄漏电流呈指数性增长GSD超薄栅氧化层 直接隧穿的泄漏电流栅氧化层的势垒 大量的晶体管 tgate栅氧化层厚度小于 3nm后 限制：tgate~ 3 to 2 nm栅介质的限制栅介质的限制 Tox ++ t栅介质层