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一种新型三维磁场传感器及其性能的研究 　　摘 要：文章特别针对以测量磁场强度为背景，首先介绍了TLV493D-A1B6新型三维磁场传感器的结构及其工作原理；然后通过搭建实验平台和设计新型磁场强度测试电路，具体分析了该新型磁场传感器的稳定和灵敏等性能；最后阐述了该新型磁场传感器与单维磁场传感器相比的技术优势。 　　关键词：磁钢；三维磁场传感器；磁场信号采集电路；稳定性能；灵敏性能 　　中图分类号：TP212 文献标志码：A 文章编号：2095-2945（2018）09-0048-03 　　Abstract： Based on the measurement of magnetic field intensity， the structure and working principle of a new 3D magnetic field sensor based on TLV493D-A1B6 are introduced in this paper. Then， the stability and sensitivity of the new magnetic field sensor are analyzed by setting up the experimental platform and designing the new magnetic field intensity testing circuit. Finally， the technical advantages of the new magnetic field sensor compared with the single dimensional magnetic field sensor are described. 　　Keywords： magnetic steel； 3D magnetic field sensor； magnetic field signal acquisition circuit； stability； sensitivity 　　引言 　　在科学研究、医疗、工业生产和日常生活等领域，磁场的应用越来越广泛，常常起着决定性作用。李润生等[1]将磁加热应用在工业生产上的冶金；白城均等[2]研究了磁力轴承在电机上的应用；金绍林等[3]通过磁场的生物学效应研究了磁场在现代骨科领域的应用；马放等[4]利用磁的吸附能力研究了磁场在污水处理中的应用。 　　在以上磁场应用的场合中，不仅在方向而且在大小上对磁场强度都有很高的要求。谭穗妍等[5]用相互垂直的3对两两配对的集成线性霍尔传感器搭建成简式三维弱磁场测量探头来检测空间磁场。磁场测量除了以上的霍尔效应法以外还有其他不同的测量方法。张卫东等[6]设计研究了光纤瞬态磁场传感器，用来检测瞬态的磁场强度。解伟男等[7]分析研究了基于钴基非晶材料显著的巨磁阻抗效应，设计并实现了一种带有闭环负反馈结构的磁场测量传感器。 　　本文采用的磁场测量方法使用的是由德国infineon公司推出的3D Magnetic Sensor TLV493D-A1B6。通过自行设计针对该芯片功能的数据采集软硬件系统，对该芯片进行了研究。 　　1 TLV493D-A1B6芯片介绍 　　该三维传感器芯片是6引脚芯片，分别是：数据信号线接口（SDA）、时钟信号线接口（SCL）、电源电压接口（VDD）、3个接地口（GND）。 　　（1）SDA和SCL是I2C总线的信号线；SDA是双向数据线，可以作为输入口也可以作为输出口；SCL单向时钟线，只能作为输入口。 　　（2）/INT口是完成测量周期信号的中断引脚。 　　（3）电源电压接口（VDD）的输入电压范围在2.5V～3.5V，为常规输入电压。 　　（4）ADDR是启动配置传感器ID引脚。 　　2 实验平台的搭建 　　2.1 实验磁场源的选择 　　选择环形磁钢作为该实验磁场源，能?@得稳定均匀的磁场。 　　2.2 数据采集系统的设计 　　该数据采集系统由AVR单片机、DS1302时钟电路以及LCD12864显示屏等组成，其系统结构框图如图1所示。 　　2.2.1 AVR单片机最小系统 　　AVR单片机采用Flash ROM程序存储器，擦写的次数大于1万次，指令长度单元为16位，具有1KB的片内SRAM数据存储器，512KB的片内在线可编程EEPROM数据存储器；采用CMOS技术，内部分别集成Flash、EEPROM和SRAM三种不同性能和用途的存储器，可以使用并行方式进行编程，能够实现在一个时钟周期里完成一条或多条指令，使指令的平均执行时间减少，从而提高CPU的性能和速度。 　　2.2.2 上位机USB接口电路设计 　　上位机USB接