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(大項目) 実装技術 (大項目)   ナノエレクトロニクス?デバイス (大項目) テスト技術 (大項目) 設計(SoC設計) (大項目) LSTPデバイス技術 社会的ニーズ アプリケーション 最重要課題 性能上: 製造上: 高速、多機能、低消費電力 低コスト、QTAT、多品種変量生産対応 システムLSI(SoC) non-CMOS技術 基盤技術 プロセス技術 配線技術 リソグラフィ技術 SoC開発/製造工程の エンジニアリング 評価?解析技術 製造技術 CMOS技術 前工程 後工程 情報家電 車載 ロボット カード、タグ モバイル Siを超える超高速、大パワー密度、 低消費電力、新機能等 Non-CMOS (中項目)デバイス微細化  └◆◆◇◇◇□■ゲート長およびゲート絶縁膜の低減 (中項目)ナノCMOSへ向けた新技術  ├(小項目)トランジスタ構造  │ ├◆◆◇◇◇□■バルクCMOS  │ ├◆◆◇◇◇□■ UTB FDSOI  │ ├◆◆◇◇◇□■ダブルゲート(Fin FET)  │ └◆◆◇◇◇□■Steep Switching FET  ├(小項目)移動度向上技術  │ ├◆◆◇◇◇□■Stress Liner  │ ├◆◆◇◇◇□■Embedded SiGe on S/D  │ ├◆◆◇◇◇□■SGOI、GOI  │ └◆◆◇◇◇□■基板面方位(100) or (110)  ├(小項目)メタルゲートとHigh-k技術  │ ├◆◆◇◇◇□■メタルゲート/Hf系High-k  │ └◆◆◇◇◇□■メタルゲート/La系High-k  ├(小項目)新構造トランジスタと準バリスティック動作  │ ├◆◆◇◇◇□■Geチャネル  │ ├◆◆◇◇◇□■Ⅲ-Ⅴ族チャネル  │ ├◆◆◇◇◇□■ナノワイヤトランジスタ  │ └◆◆◇◇◇■■準バリスティック動作  └(小項目)パラメータ?ばらつき制御技術(Vthコントロール)    ├◆◆◇◇◇■■基板バイアス    └◆◆◆◇◇■■独立マルチゲートコントロール (中項目)実装プロセス  ├(小項目)単一チップ実装:多ピン化  │ ├◆◆◇◆◇□■ウェハレベルパッケージ  │ └◆◆◇◆◇■□Low-k/Cu対応技術  ├(小項目)SiP実装(複数デバイスを同一パッケージに組み込む)  │ ├◆◆◇◆◇□■同種チップの三次元チップ積層  │ ├◆◆◇◆◇□■異なる機能を持つ半導体チップの実装  │ ├◆◆◇◆◇■■TSV方式インターコネクト技術  │ ├◆◆◇◆◇■□非接触方式インターコネクト技術  │ ├◆◆◇◆◇■□光インターコネクト技術  │ ├◆◆◇◆◇■□ウェハレベル積層技術  │ ├◆◆◇◆◇■■部品内蔵インターポーザ  │ ├◆◆◇◆◇■□異種デバイス?光?機構部品等の取り込み  │ └◆◆◇◆◇■□ウェハテスト(KGD)技術  └(小項目)実装基板技術    ├◆◆◇◆◇□□ビルドアップ基板    ├◆◆◇◆◇□□フレキシブル基板    └◆◆◇◆◇□□セラミック基板 (中項目)実装設計  └(小項目)統合設計プラットフォーム技術    ├◆◇◆◇◆■■チップ/パッケージ/ボード連携設計ツール    └◆◇◆◆◆■■電気/熱/構造連成解析技術  (大項目) ディスクリートデバイス (中項目)パワーデバイス  ├◆◇◇◇◇□■シリコンパワーデバイス  └◆◇◇◆◇□■ワイドバンドギャップ半導体               パワーデバイス (中項目)光デバイス、センサ  └◆◇◇◆◇□■センサ、光デバイス等 (中項目)ナノCMOSの延長  │    (自己組織化プロセスによるトランジスタ)  ├◆◆◇◆◇□■ナノシートトランジスタ  ├◆◆◇◆◇□■ナノワイヤトランジスタ  └◆◆◇◆◇□■ナノチューブトランジスタ (中項目)Beyond CMOS  ├◆◇◇◇◇□■共鳴トンネルデバイス  ├◆◇◇◇◇□■分子?有機デバイス  ├◆◇◇◇◇□■単一電子デバイス  ├◆◇◇◇◇□■超電導デバイス  ├◆◇◇◇◇□■スピントランジスタ  ├◆◇◇◇◇□■強磁性ロジックデバイス  ├◆◇◇◇◇□■強相関電子デバイス  ├◆◇◇◇◇□■回路再構成スイッチ  ├◆◇◇◇◇□■Beyond CMOSとSi CMOS  │           との融合技術  └◆◇◇◇◇□■量子計算デバイス (中項目)DFT  ├ ◆◇◆◇◆■■高位DFT  ├ ◆◆◆◇◆■■テストデータ圧縮  ├ ◆◆◆◇◆■■ BIRA、BISR  └ ◆◇◆◇◆■■アナデジ混載 (中項目)テスト?故障解析  ├ ◆◆◇◇◆■□故障診断  ├ ◆◆◆◇◆■□欠陥対応テスト  └ ◆◆◆◇◆■■電力?ノイズ考

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