多孔CuAlMn形状记忆合金的结构、性能分析-材料学专业论文.docxVIP

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多孔CuAlMn形状记忆合金的结构、性能分析-材料学专业论文

原创性声明 本人郑重声明 : 所呈交的学位论文,是本人在导师指导下,进行 研究工作所取得的成果。|涂文中己经注明引用的内容外,本 学位论文 不包含任何他人或集体已经发表 的作品内容,也不包 含本人为获得其 他学位而使用过的材料。对本论文所涉及的研究工作做出贡献的其他 个人或集体,均已在文中以明确方式标明。本学位论文原创性 声明的 法律责任由本人承担。 学位论文作者签名 : ì ?JF g 日期: 1013 . .27 关于学位论文版权使用授权的说明 本人完全了解河北工业大学关于收集、保存 、使用学位论文的以下规定 : 学 校有权采用影印、缩印、扫描、数}.:化或其它手段保存论文 ;学校有权提供本学 位论文全文或者部 分内容的阅览服 务 ;学校有权将学位论文的全部或部分内容编 入有关数据库进行检索、交流 ;学校有权向国家有关部 门或者机构送交论文的复 印件和电子版 。 (保密的学位论文在解密后适用本授权说明) 学位论文作者签名 : ì a习F 若 H 期: 2013 .3. 27 师签名 习外1战 日期:州叫 河北工业大学硕士学位论文 河北工业大学硕士学位论文 多孔 多孔 CuAlM n 形状记忆合金的结构、性能研究 i i PAGE PAGE iv 多孔 CuAlMn 形状记忆合金的结构、性能研究 摘 要 本研究采用烧结-脱溶法以NaCl颗粒为造孔剂成功制备了孔隙率、孔径可控 的多孔CuAlMn形状记忆合金样品,为了进一步提高材料的阻尼性能,本研究同 时采用溶胶-凝胶法制备了聚苯乙烯填充多孔CuAlMn形状记忆合金样品。研究中 对材料进行了适当的热处理,并对其进行了宏、微观形貌观察、物相分析及阻尼 性能分析。结果表明: 1. 多孔 CuAlMn 形状记忆合金优化的制备工艺为:400MPa 压制+785℃保温 3h+985℃保温 3h。所得样品为三维贯通网络结构,其基体中孔洞分布均匀。 2. 多孔 CuAlMn 形状记忆合金优化的固溶、淬火工艺为:样品经 850℃~ 900℃固溶 1 小时后于油中进行淬火。淬火后基体中产生于炉冷过程中的α 相及 γ 2 相完全消失,合金基体主要由自协作排列的 M18R 型板条状马氏体组成。研 究中通过考察时效对多孔 CuAlMn 形状记忆合金微观组织及相变行为的影响,发 现低温短时母相时效可有效降低淬火空位的浓度,同时明显细化马氏体的尺寸, 最终确定最佳的时效工艺为 350℃时效 15 min。 3. 样品中加入少量 Ti 元素可有效细化多孔 CuAlMn 形状记忆合金的晶粒尺 寸,分析表明 Ti 元素的最佳加入量为 0.2 wt%。 4. 多孔 CuAlMn 形状记忆合金的低频阻尼行为研究表明,在升温和降温过 程中,分别在 200℃及 150℃左右出现了内耗峰,这两个内耗峰分别产生于逆、 正马氏体相变过程。与致密合金相比,多孔合金的阻尼能力获得了大幅度提高。 分析认为,内耗测量中在外加应力作用下孔洞周围的应力集中与应力模式转换、 位错的增殖与滑移、以及多孔材料基体中由于局部应力集中而造成的微塑性变形 是多孔 CuAlMn 形状记忆合金阻尼提高的主要机制。聚苯乙烯填充多孔 CuAlMn 形状记忆合金由于具有多重阻尼源的叠加效应其阻尼性能明显高于不填充以前 的多孔合金。 关键词:多孔形状记忆合金,热处理,晶粒细化,高分子填充,阻尼 STRUCTURE AND PROPERTIES OF THE POROUS CuAlMn SHAPE MEMORY ALLOYS ABSTRACT In the present study, a porous CuAlMn shape memory alloy (SMA) was fabricated via sintering-dissolution method by using NaCl particulates as the space-holders. In order to further improve the damping capacity, a porous CuAlMn shape memory alloy filled with polystyrene was also fabricated by sol- gel method. Appropriate heat treatments, examination of macroscopic and microscopic morphologies, phase analysis as well as the damping test were carried out on the resultant specimens. The results showed that: O

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