多晶硅纳米薄膜在压阻传感器应用中的关键技术研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

摘 摘 要 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 I I PAGE PAGE IV 摘 要 在压阻传感器方面，与单晶硅相比，多晶硅薄膜器件无需 p-n 结衬底隔离，可 实现高温工作；与绝缘体上单晶硅（SOI）相比，其具有工艺简单、制造成本低的 优势。但是，普通多晶硅压阻传感器灵敏度偏低。研究结果表明，厚度 100nm 以 下的重掺硼多晶硅纳米薄膜（PNTF）具有较高的应变系数（GF≥34）及低电阻及 GF 温度系数（TCR 及 TCGF）；而同等掺杂浓度普通多晶硅薄膜的 GF 仅为 20~25， TCR 及 TCGF 高近一个数量级。因此，PNTF 在高温压阻传感器研制方面具有良好 的应用前景。 要实现 PNTF 在压阻传感器中的应用必须解决如下技术问题：在纳米尺寸下 其薄膜均一性差，电阻值随工艺条件变化的偏差大，严重影响传感器测量精度， 而传统电阻修正法存在稳定性差或浪费芯片面积的缺点，因此必须提出适用于 PNTF 压阻传感器的电阻偏差精确修正方法；传统铝基接触电极与多晶硅的接触电 阻较大且扩散现象显著，易产生电迁移现象，热稳定性欠佳，严重影响器件性能， 因此必须研究低接触电阻、合金化深度受控、热稳定性好的多层欧姆接触工艺； PNTF 的超薄结构使其电学特性易受外界电荷、污染物及表面氧化的影响，必须对 其表面进行保护和钝化处理，而现有单层钝化膜的钝化效果欠佳，且传感器制作 工艺又决定钝化工艺温度不能过高，因此必须研究高钝化质量的低温钝化工艺。 为此，本文对 LPCVD 高掺硼 PNTF 的电阻偏差电学修正技术、欧姆接触技术及表 面钝化技术进行了系统的研究。 在电阻偏差修正方面，针对硼杂质不存在分凝现象与现有杂质分凝模型存在 的矛盾，提出了基于填隙原子-空位对（IV 对）理论的晶界电流致再结晶模型及电 学修正的晶界热传导模型，将电学修正现象解释为大电流引起晶界级联式再结晶， 增大载流子迁移率从而降低薄膜电阻。基于所提出的模型，对不同薄膜参数样品 的电学修正特性进行了机理分析，并定量建立了阈值电流密度与薄膜参数的理论 关系，并用实验结果对理论模型进行了验证。在此基础上，提出直流电流逐次修 正法，并研究了电学修正对压阻、温度特性的影响。结果表明，该法将修正精度 提高了 4 倍，且不会明显改变 PNTF 的压阻灵敏度及温度系数，适用于 PNTF 压阻 传感器的阻值修正。 在欧姆接触方面，针对现有模型测试结构完好率低、测试精度差的问题，改 进了现有线性和圆点传输线模型（LTLM 和 CDTLM）测试结构，并考虑了金属 层电阻的影响，基于双半环电阻网络修正了现有 CDTLM 模型，提出了正交电压 测量法，提高了结构完好率及测量精度。基于改进测试结构及测量方法，获得了 不同合金化条件下 Al、Pd 及 Ni 基接触样品的比接触电阻率（SCR）及 I-V 特性曲 线，采用 XRD、EDX、SEM 等表征手段，分析了接触界面合金化产物。结果表明， Ti/Pd/Au 接触结构合金化后生成低 Si 耗损量的 Pd2Si，SCR 比单层 Al 接触降低 2 个数量级；Pt/Pd/Au 接触结构实现了热稳定性良好的非合金化欧姆接触。 在低温钝化工艺研究方面，为了提高 PNTF 表面钝化质量，避免表面氧化与 外界电荷及污染对薄膜特性的影响，分别采用 CVD、聚合物包覆及溶胶凝胶法， 制备了 SiO2/Si3N4 双层复合膜、聚酰亚胺(PI)/SiO2 复合钝化层及添加不同粘合剂的 SiO2 钝化膜。表征了样品的表面形貌和粗糙度，并用微波光电导衰减仪测量了样 品的有效少子寿命及表面复合速率，最终获得了优化的钝化工艺：对于单层钝化， 采用 SiO2 含量为 5g/L 的 PI/SiO2 复合膜；对于双层钝化，采用保留 LPCVD 离子 注入缓冲层 SiO2 与 PECVD Si3N4 复合钝化膜。上述工艺的钝化效果比已报道的结 果提高 5~6 倍。钝化机理分析表明，氮化硅膜的宽禁带使 PNTF 表面形成反型层， 减少表面空穴浓度，产生界面场效应钝化；而带缺陷的 SiO2 会在界面处引入固定 正电荷，增加 PNTF 表面少子浓度，从而提高了少子寿命。 本文的研究不仅为 PNTF 压阻传感器的研制奠定了理论与实验基础，而且对 于其它半导体器件性能的提高也具有一定的科学参考价值。 关键词：多晶硅纳米薄膜；电学修正；欧姆接触；钝化；应变系数；温度系数 Abs Abstract 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 III III PAGE PAGE IV Abstract In piezoresistive sensor (PRS) aspect, compared with monocryst