侧边抛磨光子晶体光纤及其耦合器件的仿真计算分析-光学工程专业论文.docxVIP

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侧边抛磨光子晶体光纤及其耦合器件的仿真计算分析-光学工程专业论文

暨南大学硕士学位论文 暨南大学硕士学位论文 II II 好。光从微纳光纤中输入时,耦合到侧边抛磨单模光纤中的归一化光功率随着剩 余厚度的减小而增加。当微纳光纤的直径为 6μm 时,从微纳光纤耦合到侧边抛 磨单模光纤中的归一化光功率最大,耦合效果最好。微纳光纤弯曲部分的曲率半 径(360 ~1000μm)范围内,耦合到侧边抛磨单模光纤中的归一化光功率随着曲 率半径的增加呈现减少后增加的趋势。 3、在微纳光纤与侧边抛磨单模光纤耦合模型的基础上,建立了三维弯曲的 微纳光纤与侧边抛磨光子晶体光纤耦合光学模型。计算分析了侧边抛磨光子晶体 光纤的剩余半径、微纳光纤的直径、微纳光纤弯曲部分的曲率半径对耦合效果的 影响。结果表明,光从微纳光纤中输入,耦合到侧边抛磨光子晶体光纤中的归一 化光功率随着侧边抛磨光子晶体光纤剩余半径的减少而增加。当微纳光纤直径为 9μm 时,从微纳光纤中耦合到侧边抛磨光子晶体光纤中的归一化光功率最大。当 微纳光纤弯曲部分的曲率半径为 1000μm 时,耦合到侧边抛磨光子晶体光纤中的 归一化光功率最大。 本文工作的创新在于: 1、建立了侧边抛磨光子晶体光纤的三维模型,并计算分析了侧边抛磨光子 晶体光纤的传输特性。 2、建立了弯曲的微纳光纤与侧边抛磨单模光纤、侧边抛磨光子晶体光纤的 耦合光学模型,并计算分析了模型的几何参数对耦合特性的影响,为实验提供了 理论参考。 关键词:侧边抛磨光子晶体光纤;微纳光纤;耦合;有限差分光束传输法;光功 率衰减;传输模场 III III Abstract Photonic crystal fiber (PCF) is extensive studies as a new type of optical fiber, with its compact microstructure and unique optical properties. The side-polished photonic crystal fiber (SPPCF) offers the new research direction for design and fabrication of new fiber optic device. The simulation calculation of side-polished photonics crystal fibers optical propagation characteristics and its coupled device can provide the theoretical basis for the experiment. In this thesis, we research optical propagation characteristics of side-polished photonics crystal fiber and the coupling characteristics of its coupled device by using the method of numerical analysis, the primary research work and achievements are as follows: 1、We built the optical model of D type of side-polished photonics crystal fiber with side-polished transition area. Both the attenuation of optical power and the field distribution of propagation modes in the device of SPPCF were calculated and analyzed with the variation of the factors, such as: residual radius after side polishing, axial rotation angle, the length of side-polished area, and refractive index of external environment, by using the three-dimensional finite difference beam propagation method (3D-FDBPM) in Rsoft software. The analysis results show that the shorter the residual radius is, the large

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