对称性与缺陷对硅光子晶体能带的带宽和缺陷模位置产生影响的研究-光学专业论文.docxVIP

贵州大学硕士学位论文 贵州大学硕士学位论文 万方数据 万方数据 目录 摘要................................................................... IV Abstract ................................................................ V 第一章 导论 ........................................................... 1 1.1 选题的背景和研究意义 ................................................ 2 1.1.1 问题产生的背景 .................................................. 2 1.1.2 选题的目的 ...................................................... 3 1.1.3 研究价值和意义 .................................................. 4 1.2 国内外的研究进展和评述 .............................................. 5 1.2.1 国内外研究进展 .................................................. 5 1.2.2 国内外研究评述 .................................................. 8 1.3 研究的内容结构及其方法思路 .......................................... 8 1.3.1 研究的主要内容 .................................................. 8 1.3.2 整体结构及其框架 ................................................ 9 1.3.3 主要的方法和思路 ................................................ 9 第二章 研究的理论基础和方法 ........................................... 11 2.1 平面展开法 ......................................................... 11 2.2 密度泛涵理论简介 ................................................... 13 Hohenberg-Kohn 定理 13 Kohn-Sham 方程 14 2.2.3 交换关联泛函 ................................................... 16 2.3 量子受限效应 ....................................................... 17 2.4 计算工具及其方法 ................................................... 18 2.4.1 计算的方案概况 ................................................. 18 2.4.2 计算的可靠性和可信度 ........................................... 19 第三章 小尺寸硅量子点的量子受限效应和局域态的形成 ...................... 21 3.1 含一个 Si-O-Si 桥键的量子点的态密度和结合能 21 3.2 含一个 Si=O 桥键的量子点的态密度 23 3.3 结构的存在性分析 ................................................... 23 I 3.4 实验研究 ........................................................... 24 3.5 硅量子点的发光分析 ................................................. 26 3.6 本章小结 ........................................................... 27 第四章 量子受限效应和对称性效应对硅光子晶体禁带的影响 ................