二维碲化镓半导体的制备及光、电性能研究-物理化学专业论文.docx

国内图书分类号：O649.4 学校代码：10213 国际图书分类号：544.466.468 密级：公开 理学硕士学位论文 二维碲化镓半导体的制备及光、电性能研 究 硕士研究 生： 李晓超 导 师 ： 胡平安 教授 申 请 学 位 ： 理学硕士 学 科 ： 物理化学 所 在 单 位 ： 应用化学系 答 辩 日 期 ： 2013 年 7 月 1 日 授予学位单位 ： 哈尔滨工业大学 INVESTIGATION ON SYNTHSIS AND PHOTOELECTRIC PROPERTY OF TWO DIMENTIONAL GALLIUM TELLURIDE SEMICONDUCTOR Candidate: Xiaochao Li Supervisor: Prof. PingAn Hu Academic Degree Applied for: Master of Science Specialty: Physical chemistry Affiliation: Department of chemistry Date of Defence: June, 15th, 2013 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘 要 最近十年大量的研究发现二维纳米半导体材料具有独特的电学、光学、磁学 和力学等性能。目前最具代表性的二维半导体功能材料包括石墨烯、二硫化钼和 氮化硼，近年来二维镓族材料引起了众多研究人员的广泛关注。III?VI 层状化合 物，例如硒化镓，硫化镓，和硒化铟等二维半导体材料在光伏、光电子器件、非 线性光学以及微电子器件等领域都具有很好的应用前景。本文基于二维镓族材料 的良好的应用前景对碲化镓的制备、结构、电学以及电学性能进行深入的研究， 并初步探索了二维碲化镓在纳米电子、光电器件领域的应用。 研究表明单晶块状碲化镓的为单斜晶系，其空间构型为 C2/m。由于二维碲化 镓特殊的表面性能，部分薄层碲化镓随着层数的减少由原来块状的单斜晶系变为 六方晶系。 多层（20～50 nm）碲化镓场效应晶体管（FET）的迁移率在 5～8 cm2V-1 s-1， 而少层（ 20 nm)的约在 0.2～1.2 cm2V-1s-1。常温下碲化镓的电流开关较低，多 层的在 10 以下，少层的只有 102 左右。其迁移率随温度的增加而增加，其开关 比却随温度的增加而减小，当温度从 300 K 降低到 200 K 时其开关比从 3×103 减 小到几十。研究发现，在不同的温度和偏压条件下二维碲化镓 FET 的载流子注入 存在不同的传输机制，在较高的温度（200 K）、较低的偏压（1 V）时载流子 注入以热激发为主，而在低温下( 200 K)以遂穿机制为主，随着偏压的增加载流 子注入机制由直接遂穿变为富勒-诺德海姆(F-N)遂穿。此外，计算得到的二维碲 化镓/铬的接触势垒在 0.1～0.3 eV 之间。 实验发现二维碲化镓对可见-紫外光具有良好的光响应。以二氧化硅/硅为基 底的碲化镓光探测器在紫外光照射下其光响应和量子效率在偏压为 2V 条件下达 到 191 A/W-1 和 105 %，信噪比可达 1012，响应时间可达 78 ms，且表现出良好的 稳定性。在可见光条件下其光响应和量子效率在偏压为 2V 条件下在 10～50 A/W-1 和 0.5～1.5×104 %，信噪比可达 1012。 HYPERLINK /view/323940.htm 以聚对苯二甲酸乙二酯(PET)为基底 的透明柔性二维碲化镓光探测器的性能也表现出良好的光探测性能和稳定性。这 些结果都表明碲化镓是极具潜力的光探测器、光晶体管材料。 关键词：二维碲化镓；FET；光探测器 Abstract Two-dimensional semiconductor materials with unique electrical, optical, magnetic and mechanical properties, so in the past few years have caused widespread concern in the relevant researchers. In addition to the graphene, 2-D function of semiconductor materials is currently the most representative is molybdenum d isulfide and boron nitride, two-dimensional gallium family of materials in recent year