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中国LED产业专利战略初析 　　摘要:通过分析LED行业专利现状、各国LED技术专利特点、我国LED领域专利技术存在的问题、未来全球专利格局的特点和趋势,剖析LED行业专利壁垒成因,提出加强我国LED产业专利战略研究、提升我国LED企业核心竞争力的切实可行的建议。 　　关键词:专利战略;专利壁垒;核心竞争力 　　中图分类号:D923.42:F202　文献标识码:A　文章编号:1009-055X(2010)05-0001-04 　　 　　发光二极管(LED)是全球电子信息产业的前沿和热点,由于LED具有发光效率高、使用寿命长、响应速度快、体积小、绿色环保等特点,是引起照明革命的新一代半导体固态电光源,当前在国际上受到极大的关注。专利是世界上最大的技术信息源,包含了世界科技信息的90%-95%。我们课题组在国家知识产权局、广东省知识产权局专家的指导下,选择THOMSON集团的DWPI数据库为检索源,1965年1月1日到2008年12月31日为数据采集时间段,Derwent Innovation为专利分析系统,对全球LED专利申请情况展开检索和分析,探讨提高我国LED企业核心竞争力的有效途径。目前日本、美国和德国LED专利总量占世界总量的80%以上。我国虽然有4000多家LED相关企业,专利申请总量不足世界的2%,且大多数为外围非核心专利。在当前全球节能减排的低碳经济浪潮中,如何应对国外专利壁垒,大力发展我国的半导体照明产业,是摆在每个中国LED企业面前的严峻课题。 　　 　　一、LED行业专利壁垒成因分析 　　 　　LED行业是由原材料、设备、外延片生长、芯片制作、芯片封装、各种应用等产业链构成,涉及到半导体、微电子、信息工程、机械工程、材料化工、光电子学、热学等多学科的一个高技术行业,特别是其产业链上游的外延片和芯片环节。例如LED衬底难题:主流衬底之一的蓝宝石材料,其硬度堪比钻石,纳微米量级的机械精密切割加TT艺难度可想而知。另一种做衬底的原材料的碳化硅,不仅价格高于蓝宝石且容易出现龟裂。GaN基外延片生长难题:对高纯度(99.9999%)源材料气体进行的多层原子级厚度薄膜层生长的精准控制、多种客体材料切换掺杂对主体材料进行的能带裁剪工程等等。该环节目前占到了整个产业链产值的70%,是技术高度密集区,其中涉及到技术、工艺在内的多方面苛刻要求。 　　全球LED产业格局为美国、亚洲、欧洲三足鼎立,主要厂商分布在美国、日韩、欧盟等地。日本的日亚化学(Nichia)、丰田合成(ToyodaGosei)、美国的Cree公司、欧洲的飞利浦(Philips Lumileds)、欧司朗(Osram)等5大寡头厂商掌控了全球主要的LED市场,他们在主流的GaN基蓝光LED、白光LED等技术上拥有核心技术和专利,由此也造成了全球LED高端产品市场的高度集中。这些专利都是高亮度GaN基LED发展史上的突破性技术,目前有些专利是材料生长和器件制作无法绕开的。LED厂商间凭借各自的核心专利,采取横向(同时进入多个国家)和纵向(不断完善设计,进行后续扩展申请)的方式,在全世界范围内布置了严密的专利网。还通过专利授权和交叉授权建立专利战略联盟瓜分市场,不仅阻碍了新进入者的产生,某种程度上也增加了企业的生产成本。 　　 　　二、我国LED专利技术隐患分析 　　 　　分析各国LED专利特点和趋势,探寻各国在各技术领域的共性研究方向和个性技术强项,对比我国LED专利技术现状,可以在各个环节上找出我国LED专利布局的差距来: 　　(1)在衬底方面:日本日亚和美国Cree分别是全球两大主流衬底宝石衬底和碳化硅衬底的领导厂商,大部分国家的主流研究方向也是如此。我国在复合衬底和硅衬底方面有一定的原创核心专利。 　　(2)在MOCVD设备方面:全球MOCVD设备市场被德国AIXTRON公司和美国VEECO两大厂商所垄断,日本以日亚为代表的厂家为严守技术秘密,采用自产自销,不对外销售的策略。我国在国产MOCVD设备方面还是一片空白。 　　(3)在外延方面:各国在外延领域的专利申请主要集中在量子阱和缓冲层方面的工作,我国LED专利的申请方向与此基本一致,但在质与量两个方面差距明显。 　　(4)在芯片方面:日本、韩国、台湾地区专利申请主要集中在芯片电极方面,美国和德国则另辟蹊径,主要集中在开发芯片的导光结构和芯片外形方面;我国专利申请未涉及当前热门的芯片外形技术、表面粗糙化技术和衬底剥离与键合技术,在该领域存在技术空白点。 　　(5)在封装方面:各国的封装技术和封装材料都是以封装体、反射体和环氧树脂为主,中国的专利申请方向与此基本一致。在封装技术领域,我国专利申请在近年来较为热门的基座和颜色转换材料方面,与外国的差距很大。 　　(6)白