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国际半导体技术发展路线图_000002 　　 2.7 路线图范围 　　 传统上看,ITRS主要专注于CMOS(互补金属氧化物硅)技术的按比例缩小。然而,从2001年版的ITRS开始,我们遇到了这样的挑战:即使是对CMOS工艺按比例缩小的最乐观的估计也会遇到麻烦,比如MOS管的沟道长度能否小于9 nm这样的水平?同样,对半导体工业界的绝大多数人士来说很难想象目前工艺设备和工厂成本的发展趋势还能继续支撑15年!因此,路线图必须要考虑“后CMOS器件”问题。对这些器件来说,路线图就更加多种多样,范围包括从大家较为熟悉的非平面CMOS器件到更新奇的器件,例如自旋器件等。无论是CMOS技术的延伸,还是更为激进的新方法,后CMOS技术必须要进一步降低单位功能的成本,并提高集成电路的性能。此外,产品的性能不仅随器件数量而提升,还与由设计和工艺选择相关的一系列复杂参数有关。这样,新的技术可能不仅会包括新器件,还包括制造方法的彻底革新。 　　 微处理器、存储器和逻辑器件需要基于硅的CMOS技术。最小尺寸的进一步按比例缩小,使得越来越多的晶体管可以集成到一个芯片中,正如摩尔定律所描述的那样。这样的系统级芯片(System-on-chip,SoC)的基本功能是数据存储和数字信号处理。然而,很多功能性的需求,例如功耗、通信带宽(例如RF)和很多功能性需求,例如由无源器件、传感器和启动器件实现的功能,以及生物功能等,都无法实现摩尔定律那样的按比例缩小。在很多这种情况下,需要使用非CMOS的解决方案。SoC和SiP未必会相互竞争。在未来,将基于CMOS的技术和非CMOS的技术集成在一个封装内(System-in-package,SiP),会变得越来越重要。此外,SoC和SiP可以实现互补,所以它们未必是相互竞争的技术。最初由非CMOS实现的技术,可能会在后期和基于核心CMOS技术集成在一起形成混合技术实现CMOS SoC。这样,在SoC和SiP之间以及内部的系统级功能划分很可能会随着时间而动态变化。这将需要跨学科领域内的创新,例如纳米电子器件、纳米热机械器件、纳米生物学等。对于SiP应用,封装将成为一个功能性元件并成为关键的差异化因素。在2009年版的路线图中,这些发展趋势如图4所示。 　　 2005年版的路线图中介绍了“超越摩尔定律(More than Moore)”的概念,这在以后版本的路线图中进行了进一步的讨论和提高。例如,对“超越CMOS器件”的概念已经在“新型器件研究(ERD)”和“新兴材料研究(ERM)”两章中进行了更多的详细讨论,并且在公众网络上发表了白皮书,以提供“超越摩尔定律”、SOC和SIP的更多细节。此外,对下述定义取得了共识,并在2009版路线图中进行了增补和更新。请参考图4和术语表: 　　按比例缩小(More Moore,延续摩尔定律) 　　 几何尺寸(恒场)按比例缩小(Geometrical (constant field) Scaling)指的是片上的逻辑电路和存储器电路的水平和竖直方向上的物理特征尺寸的持续缩小,以便改善密度(功能电路的成本降低)和性能(速度、功耗)以及可靠性,提高对应用和终端客户的价值。 　　等效的按比例缩小(Equivalent scaling)与几何尺寸的按比例缩小同时发生,并对后者有促进作用,它指的是三维的器件结构(“设计因子”)的改善,加上其它非几何方面的工艺技术改进和新材料的使用,对芯片的性能有所改善。 　　设计等效的按比例缩小(和等效的按比例缩小和持续的几何尺寸按比例缩小同时发生),指的是能够帮助实现高性能、低功耗、高可靠性、低成本和高设计生产率的设计技术。 　　“实例包括(但不限于):考虑离散性的设计;更低功耗的设计(睡眠模式,冬眠模式,门控时钟,多Vdd等);同质和异质的多核SOC架构。” 　　讨论了对量化的专有设计技术的需求,讨论了与满足“More Moore”功能性需求相关的功耗和性能的折衷,可能还推动了“More Moore”架构功能性,作为满足功耗和性能需求的解决方案的一部分。 　　功能多样化(More Than Moore,超越摩尔定律) 　　功能多样化(Functional Diversification指的是加入无法按照“摩尔定律”的规律按比例缩小但是却能够以不同的方式为终端客户提供附加价值。“More than Moore”的方法通常允许使用非数字功能(例如射频通讯、功率控制、无源元件、传感器和激励器),以便能够从系统板级实现向特定的封装级(SiP)或芯片级(SoC)的可能的解决方案过渡。 　　 利用“More than Moore”技术来实现新功能的设计技术。 　　 ●“实例包括(但不限于):异质系统的划分和模拟;软件;用于传感器和激励器的模