铁电2f铁磁异质复合薄膜中界面应力效应-研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 铁电/铁磁异质复合材料因其巨大的应用潜力而受到研究者的广泛关注。此类 材料不仅同时具有铁电性和铁磁性，而且还具有磁电耦合效应，利用这一效应， 可以设计磁探测器、新功能存储器、磁电马达等多种新型器件。一般认为磁电耦 合效应的产生是由于复合体系中铁电相与铁磁相之间的应力作用，但由于普通的 复合体系（如固熔块材复合体系、叠层复合体系等）中应力情况复杂，因此目前 的研究对复合磁电材料中应力耦合的机理缺乏规律性的认识。然而在异质外延复 合磁电薄膜中，薄膜的取向、厚度、界面粗糙度等都可以得到精确的控制，进而 可以控制铁电相与铁磁相之间的应力作用情况，这为研究复合磁电材料的应力耦 合机制奠定了基础。 本文从研究 BaTiO /CoFe O 双层复合磁电薄膜的外延生长过程出发，采用原 3 2 4 位反射式高能电子衍射 （RHEED ）与后位高分辨X 射线衍射 （XRD ）结合的方法， 对异质外延复合磁电薄膜的界面应力情况进行充分表征。在获得复合薄膜中基本 的应力作用情况后，进一步对应力引起的磁电性能变化进行研究。通过设计厚度 系列、层数系列的实验，实现了利用结构变化调制应力变化，进而获得较优的铁 电、铁磁性能。这一研究为进一步探索复合磁电材料的应力耦合机制奠定了基础。 在对 BaTiO /CoFe O 双层复合薄膜的生长过程、界面应力情况和界面应力效 3 2 4 应的研究中发现，第一层BaTiO 以层状模式生长，在其上生长的CoFe O 受到压 3 2 4 应力作用，在 40nm 以内主要以层状-岛状模式生长，厚度进一步增加时，生长模 式转换为岛状生长模式。应力释放主要发生在生长模式转变阶段。CoFe O 对 2 4 BaTiO 的张应力随着CoFe O 厚度的增加而增大，增大的张应力使BaTiO 的四方 3 2 4 3 铁电性下降，导致BaTiO 的Pr 值下降，当CoFe O 的厚度为120nm 时，复合薄 3 2 4 2 膜的2Pr 值仅为3μC/cm 。磁电效应研究表明，在静态磁场作用下，BaTiO /CoFe O 3 2 4 复合薄膜的剩余极化值Pr 值增大，增大的幅度随磁场强度的增强而增大，并且当 极化电压达到5V 时出现极大值。 在对多层系列 Pb(Zr Ti )O /NiFe O 复合薄膜的研究中发现，在一定范围 0.52 0.48 3 2 4 内复合层数的增加可以加强Pb(Zr Ti )O 与NiFe O 之间的应力耦合作用，复 0.52 0.48 3 2 4 2 合薄膜的Pr 值也随之提高，当复合层数达到7 层时，2Pr 值达到最大值65μC/cm ； 但当复合层数进一步增加时，耦合应力通过界面缺陷等方式释放，造成Pr 值的回