国家级规划教材半导体器件电路与电子技术电工学Ⅰ.PPT

二、功率场效晶体管（VMOSFET） 第6章 半导体器件 与普通MOS管不同，功率场效应晶体管自由电子沿导电沟道由源极到漏极的运动是纵向进行的。 （1）结构 下一页 上一页 节首页 章目录 1）VMOS管的漏极区面积大，有利于用散热片散去器件内部耗散的功率。 2）沟道长度可以做得很短，且沟道间又呈并联关系（根据需要可并联多个），故允许流过的电流很大。 3）利用现代工艺，使它靠近栅极形成一个低浓度N－区的正离子密度低，电场强度低，因而有较高的击穿电压。这些都有利于VMOS制成大功率器件。 目前制成的VMOS产品，耐压能力达1000V以上，最大连续电流值高达200A。 第6章 半导体器件 （2）工作特点 下一页 上一页 节首页 章目录 第6章 半导体器件 5）极间电容小，VMOS的开关速度快，工作频率高，可以用于高频电路或开关稳压电路等。 （3）VMOS器件优点 1）是电压控制器件。 2）它的输入电阻极高，所需驱动电流极小。 3）功率增益高。 4）漏源电阻温度系数为正，当器件温度上升时，电流受到限制，所以VMOS不可能有热击穿，温度稳定性好。 下一页 上一页 节首页 章目录 第6章 半导体器件 功率模块是由双极型晶体管、MOSFET或BiFET(双极与场效晶体管复合器件)组合而成的功率部件。 广泛用于不间断电源(UPS)、各种电机控制驱动、大功率开关、医疗设备、换能器、音频功放等。 它的突出特点是：大电流、低功耗，电压、电流范围宽。它的工作电压高达1200V，电流高达400A。 下一页 上一页 节首页 章目录 第6章 半导体器件 IGBT是由具有高输入阻抗、高速的MOSEFT和低饱和压降的双极晶体管组合成的。 T2是增强型MOS管，工作时，首先在施加栅极电压之后形成导电沟道，出现PNP管T1的基极电流，IGBT导电；当FET沟道消失，基极电流切断，IGBT截止。 下一页 上一页 节首页 章目录 第6章 半导体器件 * 6.2.1 半导体二极管的结构类型 在PN结两端加上引线并进行封装，就制成半导体二极管。二极管按结构可分为点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图6.2.1（a）、（b）、（c）所示。 (1) 点接触型二极管棗PN结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电子电路。 (2) 面接触型二极管棗PN结面积大，常用于大电流整流电路。 (3) 平面型二极管棗往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 半导体二极管的特性曲线就是其PN结的特性曲线，如图6.1.5所示，特性表示了二极管的电压和电流关系是在第一、第三象限的一条曲线。所以二极管是一种非线性元件。 图6.2.2（a）是国标GB4278规定的符号，图6.2.2（b）是国外许多教材、软件和期刊使用的符号，我们就分别简称为标准符号和惯用符号。该符号形状是一个箭头指向了一个挡线，表示了二极管单向导通的基本特性，箭头方向表示正向电流的方向。图中所标正负号的两端分别称为二极管的正极和负极。通常也把二极管的正极称为阳极，用A表示，负极称为阴极，用K表示。图6.2.2(c)表达了受温度影响时硅二极管特性变化的示意图。温度升高时，正向特性向左移，即在同样的电压下，电流会变大；而反向电流本来就决定于本征（纯净）半导体的激发，与温度相关，温度升高，反向电流变大，使得反向截止特性变坏。 * 6.2.1 半导体二极管的结构类型 在PN结两端加上引线并进行封装，就制成半导体二极管。二极管按结构可分为点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图6.2.1（a）、（b）、（c）所示。 (1) 点接触型二极管棗PN结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电子电路。 (2) 面接触型二极管棗PN结面积大，常用于大电流整流电路。 (3) 平面型二极管棗往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 半导体二极管的特性曲线就是其PN结的特性曲线，如图6.1.5所示，特性表示了二极管的电压和电流关系是在第一、第三象限的一条曲线。所以二极管是一种非线性元件。 图6.2.2（a）是国标GB4278规定的符号，图6.2.2（b）是国外许多教材、软件和期刊使用的符号，我们就分别简称为标准符号和惯用符号。该符号形状是一个箭头指向了一个挡线，表示了二极管单向导通的基本