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超高迁移率p型CdS纳米线表面电荷转移掺杂及其光伏器件-微电子学与固体电子学专业论文
超高迁移率 p 型 CdS 纳米线:表面电荷转移掺杂及其光伏器件
摘要
低维半导 体纳米 结构 具有优异 的电学、光 学特性,吸 引了 广泛 的研究兴 趣。 CdS 作为一种 重要的 II-VI 族 直接 带隙半 导 体,室温 下的禁 带宽 度为 2.42 eV , 在光电 子器件 方面 有 着广阔 的应用 前景 。 而掺杂 是 半导 体材 料 应用于 器件的 关 键前提,因此 CdS 的 n 型掺杂 已经被 诸多 学者研究 并得以 实现 。但是 ,由于 受 到自补偿 效应的 影响 ,CdS 的 p 型 掺杂问 题至今得 不到解 决,所以关于 CdS 的
p 型掺杂 的研究 亟待 展开。
本文根据 表面电 荷转 移掺杂的 方法 ,系统 地研究了 CdS 纳米 线 p 型掺 杂的 问题。此 外,结 合微 纳加工工 艺,我 们构 建了基于 p 型 CdS 纳 米线的同 质结 、 异质结 光伏器 件, 并 对其电 学、光 学等 方 面的性 能进行 了详 细 的研究 。具体研 究成果如 下:
1、采用 表面电 荷转 移掺杂的 方式, 在 CdS 纳米线表 面包裹 MoO3 薄层 , 国际上首 次制备 了高 质量的 p 型 CdS 纳米 线。通 过对纳 米线底 栅场效应 晶体管 器件的电 学测试 得到 ,包裹 MoO3 薄层 后 ,CdS 纳米线从 原来 的弱 n 型电导转 变成 p 型 电导 ,电阻 从 3.3×1011 Ω 降至 4.7×103 Ω,降幅达 到 了 7 个数 量级以
上,而空 穴迁移 率更 是令人惊 奇地高 达 2035 cm2 V-1 s-1。多 样 品、长时 间、低 温下等各 方面的 测试 表明,所 制备的 p 型 CdS 纳米线重 复性好 ,稳定性 强。
2、采用 微纳加 工工 艺,合理 地构建 了单 根 CdS 纳米线同 质 结 光伏器 件。 经过类似 前面的 测试 发现,通过表 面电荷 转移掺杂 ,n 型 CdS:Ga 纳米 线也能 转变成为 p 型 CdS 纳 米线。在此 基础上,我们制备 了单根 CdS 纳米线同 质结器 件。电学测 试表明,所制备的 单根 CdS 纳 米线同质 结器件 表现 出了良好 的整流 特性,从 -2 V 到 2 V,整流比 高达 1.6×102,开启电 压为 1.0 V,而在低 正向偏
压 下 的 理 想 因 子 为 2.8。同时,所制备同 质结器件 展 示 出 了 良 好 的 光 伏 性 能 。 在约 1.5 mW?cm-2 的白光照射下,所制 备的纳米同质结 光 伏 器 件 的开路电压 (VOC)和 短 路 电 流 密 度 (JSC)分别为 0.10 V 和 of 0.72 mA?cm2, 而 填 充 因 子 为 35.23%,由此 而最终 算得 光电 转换效 率为 1.65%。
3、开发 了 p 型 CdS 纳米线的 异质结 器件 应用。在 前面实 验的 基础上, 我 们制备了 p 型 CdS 纳米线/n 型 Si 异质结 器件。经 过电学 测试 和分析表 明,所 制备的异 质结器 件的 整流特性 良好, 从-1.5 V 到 1.5 V,整流 比高达 2.3×102, 正向开启 电压为 0.7 V。在低 正向偏 压下 ,可推算 得理想 因子 为 2.4。 有意义 的 是,p 型 CdS 纳米 线/n 型 Si 异质 结器件 也展 示了良好 的光伏 性能 :在 1.5 mW?cm-2 白光照射 下,开 路电 压 (VOC)和短 路电流 密 度 (JSC)分别 达到 了 0.15 V 和 of 0.52 mA?cm-2, 而经过 推 算得填充 因子 (FF)为 19.2%, 光电 转换效 率(η)为 0.99%。
关键词:CdS 纳米线、MoO3、表面 电荷转 移掺杂、p 型掺 杂、同质结、异质结
Ultra-High Mobility of p-Type CdS Nanowires: Surface Charge Transfer Doping and Photovoltaic Devices
Abstract
Low-dimensional semiconductor nanostructures have attracted a wide range of research interests due to their excellent electrical and optical properties. Cadmium sul?de (CdS), as an important II–VI semiconductor with a wide direct band-gap of
2.42 eV at room temperature, is an importan
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