成分和热处理工艺对NTC热敏电阻元件性能影响的研究-凝聚态物理专业论文.docx

Classified Index:TM282 School Code: 10213 U.D.C: Secrecy Grade: Open Dissertation for the Master Degree in Science EFFECTS OF COMPOSITION AND THERMAL TREATMENT TO NTC THERMISTOR COMPONENTS Candidate： Yu Qiao Supervisor： Prof. Zhe Lv Academic Degree Applied for： Master of Science Speciality： Condensed Matter Physics Affiliation： Department of physics Date of Defence： June, 2015 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 摘 要 负温度系数热敏电阻（NTCR）具有随温度升高阻值下降的特性，因为其所具 有的测温精度高，响应快，成本低廉，高信噪比等优点，在家用电器、工业生产、 精密仪器等很多领域被广泛用于温度测量、温度控制和补偿、稳压稳流等，市场 需求巨大。NTC 电阻包括陶瓷片状元件、厚膜元件和薄膜元件，其中薄膜型 NTC 电阻测温更灵敏，精度更高，尺寸小，适应小型化和集成化需求，是研究和发展 的重要方向。本论文以调控 NTC 热敏电阻元件主要参数 B 值和室温电阻率为目的， 重点开展了基于 Mn-Ni-O、Mn-Co-O 体系尖晶石结构氧化物材料的组分调控、元 素掺杂、陶瓷烧结温度对微结构和 NTC 电阻特性的影响及磁控溅射制备的非晶 NTC 薄膜退火研究。 本论文利用固相合成法制备 Mn-Ni-O、Mn-Co-O 基 NTC 电阻材料，研究了大 范围调节元素比例、元素掺杂对体系性能的影响。结果表明，Mn-Ni-O 体系随着 Ni 含量的增加，材料 B 值基本不变，电阻率大幅度增加；在其基础上掺杂 Cu 会 造成体系 B 值和室温电阻率大幅下降，并改善烧结特性，研究发现 MnNiCuO 材料 可用于制备低 B 值、高室温电阻率 NTC 电阻。Mn-Co-O 体系的 B 值随着 Co 含量 增加呈现先下降后略有升高的特征；在其基础上掺 Cu 会也造成体系 B 值和室温电 阻率下降，掺杂量越多下降越多；掺杂 Si 则会使 Mn-Co-O 体系材料室温电阻率大 幅升高而 B 值基本保持不变。 尖晶石结构氧化物 NTC 材料具有小极化子跳跃导电特性，B 值和室温电阻率 这两个参数之间存在较强的关联性，二者经常同时改变。考虑到同时对 NTC 电阻 的 B 值和室温电阻率两个参数进行精确调控的需求，本论文以 Mn-Co-O 基 NTC 电阻为对象，研究了烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明，在 1200°C±50°C 范围内，配比为 Mn1.55Co1.45O4 的 NTC 电阻材料，随着烧结温度的升高，材料 B 值基本不变，室温电阻率降低了 34%；对于配比为 Mn0.9Co2.1O4 的 NTC 电阻，随 着烧结温度的升高，材料 B 值基本不变，室温电阻率增加 43.5%。因此，通过控 制烧结温度可以非常有效地调控 NTC 陶瓷的电阻参数。 采用磁控溅射法制备的 NTC 非晶薄膜，在高温退火过程中会发生晶化，同时 产生电性能和形貌的改变。本论文以 AlN 基片上沉积的 Mn-Co-Ni-O 功能层 NTC 薄膜为对象，研究了不同退火工艺对 NTC 薄膜性能和形貌的影响。退火过程原位 电阻测试结果表明，NTC 非晶薄膜的电阻从 450?C 开始发生明显的变化，此后经 I - 历结构弛豫、晶化形核和晶粒生长的过程。在恒温退火阶段，由于 AlN 基片与功 能层键型不同，晶化导致的收缩造成功能层孔隙率增加，电阻升高，恒温退火温 度越高，电阻增加越快，退火后的 NTC 薄膜 B 值也越大；恒温退火时间对 B 值影 响较小，随着退火时间的延长，电阻不断增大。由于 Mn-Co-Ni-O 功能层与 AlN 基片的热膨胀系数差异，加上两者结合性较差，因此退火温度高于 800?C 后，功 能层出现局部脱离基片形成鼓泡的现象，因此退火温度应控制在 800°C 以下。 关键词：NTC 热敏电阻；Mn 基尖晶石材料；掺杂；烧结温度；非晶 NTC 薄膜退 火 II - Abstract Negative temperature coefficient resistor (NTCR) has the character that its electrical resistance exponential