单片式智能功率IC功率管及使能电路设计-微电子与固体电子学专业论文.docx

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘要 摘 要 单片式智能功率集成电路具有成本低、体积小、工作稳定等诸多优点，自 20 世纪 90 年代中期问世以来已得到广泛应用。功率半导体器件是单片式智能功率集 成电路发展的关键所在，如何提高功率半导体器件的耐压、降低其导通电阻以及 解决其工艺兼容性直接关系着单片式智能功率集成电路的发展。 RESURF （REduced SURface Field）技术是设计横向功率半导体器件的关键技术之一，它能 够在保证横向功率半导体器件击穿电压不变的同时，降低横向功率半导体器件的 导通电阻。 本论文的主要目标是设计一款单片式智能功率集成电路中的功率管及使能电 路。要求芯片集成高压（600V）、中压（40V）、低压（5V）器件于一体。该芯片 属于反激隔离型开关电源，耐压 600V，最大输出功率为 9W，开关频率为 132kHZ， 采用 PWM（Pulse Width Modulation）与 PSM（Pulse Skipping Modulation）相结合 的调制方式，具有过热、过流、欠压等自动保护功能和比较宽的工作温度范围。 本文研究了一种新型 Triple-RESURF LDMOS 结构。通过理论分析以及数值模 拟证明 Triple-RESURF LDMOS 能够在保持 LDMOS 击穿电压不变的同时，极大地 降低 LDMOS 的导通电阻。本文给出了制作 Triple-RESURF LDMOS 的工艺流程， 针对 Triple-RESURF LDMOS 工艺实现两大难题，给出了解决方案，该工艺流程为 兼容高压（600V）、中压（40V）、低压（5V）的 BCD 工艺流程。同时本文还设计 优化了 Triple-RESURF LDMOS 的版图。 本文具体研究设计了项目涉及的单片式智能功率集成电路中的使能线欠压检 测模块以及 X2 信号产生模块。通过数值分析以及软件仿真结合的手段设计优化了 组成模块的相关器件的参数，同时设计优化了两个模块的版图。 关键词：RESURF 技术，高压 LDMOS，击穿电压，导通电阻，单片式智能功率 IC I ABSTRACT ABSTRACT Monolithic Smart Power IC (SPIC) has low cost, small volume, stable work, and many other advantages. Power devices are the key of the improvement of the SPIC. RESURF (REduced SURface Field) technology is one of the most important techniques for lateral power devices. RESURF technology can reduce the on-resistance of the lateral power devices in the condition of keeping the breakdown voltage of the lateral power devices. The main goal of this paper is to design a Monolithic SPIC. It should integrate high-voltage (600V), medium-voltage (40V),low-voltage (5V) devices in the same chip. The maximum power supply is 9W, and its work frequency is 132 KHz, its modulation mode is mixture PWM and PSM. It has over-