倒装LED封装与其散热分析.pdfVIP

第 1 章 绪论 着温度升高而增加，显色指数相应更高。同时，正向电流引起PN 结发热性损耗， PN 结区域的温度升高。研究表明，温度每升高 1℃，LED 的亮度相应地减少约 1%。尤其近年来，LED 都在朝着芯片越来越小，电流越来越大的方向发展。虽 然 LED 的光输出在初始前段会随着电流的增大而增加，呈正相关，但光效在持 续下降，产生热量越来越高。 目前很多单颗功率型 LED 的输入功率为 1W，甚 至达到 2-5W，产生的热量集中在 1-5mm2 芯片区域，散热的问题就变得愈加严 重，这就需要改进 LED 的封装结构。所以，LED 封装设计的因素主要在于散热 和出光。提高散热特性的方法包括采用散热性能更好的材料，例如大功率的陶 瓷支架，垂直芯片和倒装芯片，采用导热性能更好的银胶、锡膏或者共晶键合。 提高光取出，即封装器件的外量子效率的方法包括使用折射率更高的硅胶，支 架光学结构的设计与改进等。 1.2.2 倒装LED 封装结构 LED 芯片变成灯具产品的关键环节是 LED 封装，LED 封装是用高分子封装 材料（如环氧树脂或者硅胶）将发光二极管密封在支架内，保护 LED 以及实现 电学连接和光学输出。 按芯片结构划分，LED 封装可分为倒装 LED 芯片封装、正装 LED 芯片封 装和垂直结构 LED 芯片封装，见图 1.1。倒装 LED 封装相比正装 LED 芯片封装 和垂直结构的 LED 芯片封装，具有以下优势： （1）其采用无金线键合设计，减少了因为金线断裂带来的风险，提高了可 靠性，并可以在更大的电流下使用，提高了 lm/元，降低成本； （2 ）倒装LED 封装的芯片发光的多量子阱区域离底部的基板更近，具有更 短的散热距离，只有正装 LED 芯片封装和垂直 LED 芯片封装的 1/3-1/4。同时 芯片键合层采用锡膏或共晶方式，其导热系数为 50-200W/(m ·k) ，比正装封装结 构的绝缘胶层 （导热系数小于1W/(m·k ））高的多，很大程度上减小了热阻，提 高了封装器件的可靠性和稳定性。 3 第 1 章 绪论 蓝宝石衬底 锡膏或共晶 散热距离40um 导热系数50-200W/(m·k) 支架 倒装LED芯片封装 金线 蓝宝石衬底 散热距离140um 绝缘胶 导热系数小于1W/(m·k) 支架 正装LED芯片封装 金线 硅或金属衬底 散热距离140um 锡膏、银胶或共晶