模拟电子技术基础1半导体极管及其应用-chen.pptVIP

* * Moving picture * Color mark 电子线路由有源电子器件和电阻、电容、电感等元件组成,半导体器件是构成电子线路的核心部件。本章首先阐述半导体的导电特性和PN结的形成机理,再讨论半导体二极管的结构、伏安特性主要参数和等效电路模型，并列举了半导体二极管典型应用电路。 本章简介 1.1 半导体的基础知识 1.3 半导体二极管 1.2 PN结的形成及其单向导电性 1.4 半导体二极管的典型应用 1 半导体二极管及其应用 模拟电子技术基础 1.1.1本征半导体 1.1.2杂质半导体及载流子的运动 1、 N型半导体 2、 P型半导体 3、 半导体中载流子的运动 本节内容 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体。 (在T=0K时，相当于绝缘体)。 什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅（Si）、锗（Ge）等，均为四价元素（其原子最外层电子一般为4个，受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间）。 1.1 半导体的基础知识 导电特性： (1)掺杂效应：在本征半导体(纯净的且晶体结构完整的半导体，在T=0K时，相当于绝缘体。)中掺入少量其他元素(杂质)，可以改变和控制半导体的导电能力和导电类型，藉此特性可制造各种半导体器件； (2)热敏效应：温度变化可以改变半导体的导电能力，藉此热敏效应可制造热敏元件； (3)光敏效应：光照可以改变半导体的导电能力，并产生电动势，藉此光电效应可制造光电晶体管、光电耦合器和光电池等光电器件。 1.1 半导体的基础知识 (1) 本征半导体的结构 (1)T =0K(-273℃) 共价键结构稳定，无自由电子----不导电 (3)复合：自由电子填补空穴，自由电子--空穴成对消失。 一定温度下，本征激发与复合运动达到动态平衡，自由电子与空穴的浓度一定且相等，可按式(1-1)计算。温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大，本征半导体的导电能力增强。 (2)本征激发（热激发）——T↑、光照，电子-空穴成对出现：具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子，共价键中留有一个空位置，称为空穴。 +4 +4 价电子 自由电子 空穴 +4 +4 +4 共价键 注意区别：价电子与自由电子 1.1 半导体的基础知识 本征半导体中载流子数目少，导电性差。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？ (2)、本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 两种载流子 本征半导体中存在两种载流子----带负电的自由电子和带正电的空穴。外加电场作用下，两种载流子均参与导电，且运动方向相反。 理解与区别：二者导电的本质。 1.1 半导体的基础知识 自由电子：本征激发＋施主杂质提供 ----多(数载流)子 空穴：本征激发产生 ----少(数载流)子 掺入五价元素杂质的半导体主要靠自由电子导电，掺入杂质越多，自由电子浓度越高，导电性越强，因此称为电子型或N型半导体。 1.1.2 杂质半导体 ---- 载流子数↑↑ 杂质一般有两种:五价(磷)→ N(电子)型； 三价(铟)→ P(空穴)型 1. N型半导体----掺入五价施主杂质 1.1 半导体的基础知识 1.1.2 杂质半导体 ---- 载流子数↑↑ 2. P型半导体----掺入三价受主杂质 杂质半导体以多子导电为主。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电能力越强，实现导电性可控。 空穴：本征激发＋受主杂质提供 ----多子 自由电子：本征激发产生 ----少子 掺入三价元素杂质的半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，因此称为空穴型或P型半导体。 1.1 半导体的基础知识 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 N型半导体主要靠电子导电，其多数载流子是电子，掺入杂质越多，电子浓度越高，导电性越强。那么空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？ P型半导体主要靠空穴导电，其多数