钙钛矿型Pb基反铁电陶瓷粉的合成、结构表征及电性能-材料学专业论文.docxVIP

内蒙 内蒙古工业大学硕士学位论文 万方数据 万方数据 摘 要 制备高功率密度、大容量电容器的关键是寻求一种同时具有能量存储密度、高储 能效率（即低能量损耗）及快速存放电行为的材料。Pb 基反铁电材料就是这样的相 变材料，其在温度、电场及应力的诱导下可以实现反铁电态 （AFE）与顺电态（P） 和 AFE 与铁电态（FE）之间的快速转变，呈现出双电滞回线，从而可以实现能量的 存储与释放。 论文采用溶胶-凝胶技术合成了成分不同、但均具有纯相钙钛矿结构的 Pb 基反铁 电陶瓷粉，并将陶瓷粉烧结成陶瓷。借助差热-热重分析仪（DSC-TG），X 射线衍射 仪(XRD)，扫描电子显微镜(SEM)、 拉曼测试仪（Ramam）等对陶瓷粉的组成结构进 行了表征，采用介电性能测试仪和铁电性能测试仪对陶瓷的电性能进行了测试。探讨 了铅过量、添加剂的种类及含量对 Pb 基陶瓷粉的结构及微观形貌的影响，获得了合 成纯相钙钛矿结构 PZ 陶瓷粉的最优工艺参数。分析了 La3+、Ti4+、La3+和 Ti4+的混合 掺杂对钙钛矿结构 Pb 基反铁电陶瓷粉的合成温度、晶粒尺寸、微观形貌及电性能的 影响。 论文采用溶胶-凝胶法制备了不同铅过量的 PZ 陶瓷粉。实验发现，制备钙钛矿结 构的 PZ 时，铅的最佳过量值为 3%。钙钛矿结构 PZ 陶瓷粉的最佳合成工艺为：煅烧 温度为 900℃，保温时间为 2h。但实验合成的 PZ 粉体团聚现象严重。 考虑到钙钛矿结构 PZ 的合成温度太高、且粉体团聚现象严重，论文探讨了 DEA 和 PEG 对 PZ 陶瓷粉的相变温度、晶粒尺寸、颗粒形貌等的影响。实验发现，DEA 的添加有助于降低单一钙钛矿结构 PZ 陶瓷粉的合成温度。在 Pb 过量 3%的 PZ 陶瓷 粉中添加 10%的 DEA，保温 2h 时，单一钙钛矿结构 PZ 陶瓷粉的合成温度从 900℃ 降至 580℃。添加 10%的 PEG，PZ 陶瓷粉团聚的颗粒分散效果明显。 元素掺杂的结果表明，添加 La3+、Ti4+后，晶格畸变致使钙钛矿结构的 Pb 基反铁 电材料的晶粒细化，合成温度降低。PLZ 陶瓷粉的合成温度为 540℃，晶粒尺寸的理 论计算值为 35.47nm。PZT 陶瓷粉的合成温度为 600℃，晶粒尺寸的理论计算值为 47.50nm。PLZT 陶瓷粉的合成温度为 580℃，晶粒尺寸的理论计算值为 45.43nm。 Ramam 谱的测试结果表明，室温下，钙钛矿结构 PZ 的相结构为反铁电正交相， PLZ 的相结构为反铁电四方相，PZT 的相结构为反铁电正交相，PLZT 的相结构为反 铁电四方相。 电性能的测试结果表明，PZ 陶瓷的居里温度 TC 为 226℃；介电常数ε为 2264； III 场致开关场强 EA-F=13.4 KV/cm，EF-A=10.2 KV/cm；饱和极化 PS=11.28 UC/cm2。PLZ 陶瓷的 TC 为 151℃；介电常数ε为 3489；场致开关场强 EA-F=9.9 KV/cm，EF-A=6.6 KV/cm；饱和极化 PS=12.26 UC/cm2。PZT 陶瓷的 TC 为 230℃；ε为 2641，场致开关 场强 EA-F=12.1 KV/cm，EF-A=7.4KV/cm； PS=19.41 UC/cm2。PLZT 的 TC 降低至 148℃； 介电常数ε为 3196；场致开关场强 EA-F=7.4 KV/cm，EF-A=3.8KV/cm；饱和极化 PS=22.49 UC/cm2。 关键词：Pb 基反铁电材料 ；溶胶-凝胶法 ；钙钛矿结构 ；掺杂改性 ；电性能 IV Abstract The key to the preparation of the high energy storage density and large value capacitor is to seek a kind of material with the properties of energy storage density and high energy storage efficiency (low energy loss) and rapid store or release electrical behavior simultaneously. Pb-based antiferroelectrical material is the phase transition material with such properties, and it can realize the rapid transition from antiferroelectrical state (AFE) to paraelectric state (P) an