锆酸铅薄膜电容器的储能行为及其应用研究-电子与通信工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 南京邮电大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。 研究生签名： 日期： 南京邮电大学学位论文使用授权声明 本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文 档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索； 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。论文的公布（包括刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。 涉密学位论文在解密后适用本授权书。 研究生签名： 导师签名： 日期： 摘要 反铁电材料由于其在现代高新技术中起着越来越重要的作用而成为国内外研究的热 点，而具有复合钙钛矿结构的 PbZrO3 基反铁电材料是一类最有发展潜力的反铁电材料。其 中，掺杂离子的 PbZrO3 基反铁电薄膜电容的制备工艺及其储能性能，具有重要的理论意义 和应用价值。 本论文采用化学溶液沉积法(CSD)结合快速热处理工艺(RTA)制备锆酸铅(PbZrO3, PZO) 基反铁电薄膜，研究了这类薄膜材料的掺杂改性、相变、反铁电、介电、储能等性能。 采用化学溶液沉积法结合快速热处理工艺在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备了不同 Pr3+离子含 量 Pb1-1.5xPrxZrO3(PPrZ)薄膜，研究了 Pr3+离子含量对薄膜形貌结构、能量存储和介电性质的 影响。经过 600℃快速热处理后的 PPrZ 薄膜呈伪立方相钙钛矿结构，PPrZ 薄膜表面致密， 无裂纹。不同浓度的 Pr3+离子的掺杂对 PbZrO3 反铁电薄膜的电学性能影响巨大，通过改变 离子浓度可以得到不同储电性能的锆酸铅薄膜样品。研究表明，适量 Pr3+离子的掺杂可以有 效增强 PbZrO3 反铁电薄膜的电学性能。 论文最后主要分析了新型储能电容器在高密度储能电容器领域在军事方面、混合动力 车辆、生物医学、物联网底层传感网节点上潜在的应用。重点介绍了 PbZrO3 反铁电薄膜电 容器在为物联网底层传感网节点供电上的应用。 论文结尾对全文进行总结，并对进一步实验提出改进方案。本论文研究工作还有很大 的改进空间，可以通过改变实验条件，得到性能更优的锆酸铅反铁电薄膜电容器。 关键词: 反铁电薄膜，离子掺杂，能量存储，化学溶液沉积，物联网 I Abstract Antiferroelectric material becomes a hot research, because it plays an increasingly important role in modern high-tech.But PbZrO3 group antiferroelectric material having a composite perovskite structure is a class of the most promising antiferroelectric materials.The preparation technology and energy storage properties of PbZrO3 based antiferroelectric thin film capacitor doped ion have important theoretical significance and application value. In this thesis, PbZrO3 (PZO) based antiferroelectric thin films were prepared by using a chemical solution deposition (CSD) method combined with a rapid thermal annealing (RTA) process, and the doping modification, phase transition, antiferroelectric, dielectric, energy storage properties of these thin films were studied. The Pb1-1.5xPrxZrO3(PPrZ) thin films with different Pr