- 1、本文档共120页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
低维碳化硅的VLS自组装生长研究-材料物理与化学专业论文
1川1川1川川1川1川1阳11阳1阳1川1川1川1川1川1川1川1川11川11川1川11川1川11川1川11川川1川1川1川州1川1川川1川阳川M川1川1川1川1川川1川111川1州川1111川1川111川11川1川11川11川1川1川川1m川1川1川1川1川1川1川1川111| Y1851651
-e
-e
‘··r·
b-w-Study oflowdimensional SiC grown by VLS
b-w
-
Major:
‘ Advisor:
Doctor:
Material Phvsics and Chemistry liYanRon!!
Chen Yifensz
-4
句
?
独创性声明
本人声明所里交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地 方外,论文中不包含其他人巳经发表或撰写过的研究成果,也不包含
} 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一间工作的同志对本研究所做的任何贡献均日在论文中作了明 确的说明并表示谢意。
签名: 供,/总 日期:;J.O. ,v 年 C月Ib日
关于论文使用授权的说明
本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文
如?同的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部成部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描
如
?同
啕‘』
啕‘』,
·
签名:此/埠 导师签名:
J 日期: (0 年£月 4 日
1,
1,
4
摘要
摘要
碳化硅 (SiC) 是 IV-IV 族二元化合物,是继第一代元素半导体 (Si)和第
二代化合物半导体 (GaAs、IPn、GaP 等)材料之后的第三代半导体材料的典
w 型代表。它具有带隙宽、 i临界击穿电场商、热导率高、饱和电子漂移速革高、介 电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优点,在高温、高频、高功率、光电 子及抗辐射器件等方面都具布巨大的应用潜力。
气,液唰闹 (VLS) 生长技术被广泛的应用于纳米线、纳米棒的生长.由于催化 剂的存在,在 VLS 生长过程当中,有液相参与材料的生长。采用吼叫组装生长 SiC 时,反应气体分解出的 C 和 Si 原子,在液滴的辅助作用下榕解于液相中,当
C 和 Si 原子在液滴中达到过饱和时,就会在液罔界丽析出并生成 SiC,这与液相 外延非常类似,因此, VLS 生长机制结合了液相外延和传统 CVD 方法的优点。由 于有液相的参与,所生长出的 SiC 具有良好的结晶性。本论文采用 VLS 生妖技术, 进行 SiC 的生长,采用扫描电子显微分析技术、 X 射线能谱分析技术、 X 射线衍 射分析技术、原子力显微分析技术、电子背散射衍射分析技术、避射电子显微分 析技术和微区拉曼分析技术对样品进行了表征。
首先,利用 VLS 生长技术,以金属 M 做催化剂,成功地在 Si 基片上合成了 SiC 晶须,生长出的 SiC 晶须直径从数 m 到 2.5 阳n,探索了VLS 生长过程,研 究了反应温度、生长气压、催化剂厚度等实验条件对 SiC 生长的影响,实现了 SiC 自组装生长的控制。
在揭示了 SiC 自组装生长规律的基础上,为了实现 SiC 晶须的定位生长,我 们采用图形化的 Si 基片,利用 VLS 技术,以 Ni 作为催化剂,成功地合成了 3C-SiC
、 微米柱阵列,微米柱直径达 20 阳。研究中发现,在 SiC 微米柱的微区拉曼阁谱中,
? 3CSiC 的纵向声子模峰的半高宽仅为 8m-1,而且微米柱中残存应力小(仅为0.3
GPa) ,结晶良好。以此为基础,进一步生长出了长条状的SiC 阵列(大小为 0.05mm Xl mm ,深度为1∞阳n) ,实现了3C-SiC 的选择性生长.
在 SiC 微米柱阵列的生长实验中,观察到了自组装 SiC 的横向生长现象。利 用 VLS 的横向生长现象,开展了 6H.SiC 的同质外延生长研究。与传统 CVD 同质 外延 SiC 薄膜相比较,采用 VLS 同质外延的 SiC 薄膜,虽然表团平整度较差(表 团台阶高度约为 15 nm,均方根粗糙度为4.5 nm),但有效地封堵了基片表面的微
摘要
管。为了进一步提高薄膜质量,提出了两步法外延 6H-SiC 薄膜的技术路线。 采用两步法外延的 6H-SiC 薄膜,既有效地封堵了微管,又使薄膜表面3JZ整度 获得了极大地改善(表面台阶商度降低为 4nm ,均方根粗糙度降低为2.Snm) 。高 分辨的 X 射线衍射分析阁谱表明 :Il 两步法生长的 SiC 薄膜且然分为了两层,但 都具有良好的结晶性:并且
您可能关注的文档
- 低温热双循环发电机组检测实验台研制-供热、供燃气、通风与空调工程专业论文.docx
- 低温烧结纳米银浆组织及性能表征-材料加工工程专业论文.docx
- 低温烧结软性PZT压电陶瓷的制备及性能研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx
- 低温热水地面辐射采暖经济性分析研究-供热、供燃气、通风与空调工程专业论文.docx
- 低温热源驱动溴化锂第二类吸收式热泵的实验研究-热能工程专业论文.docx
- 低温焦油乳化制备煤炭浮选剂研究及工艺设计-化学工程专业论文.docx
- 低温燃烧法制备白光LED铝酸盐荧光粉发光性能研究-光学工程专业论文.docx
- 低温燃烧合成超细ZrO2粉体的研究-材料加工工程专业论文.docx
- 低温环境实验装置设计与研究-动力工程专业论文.docx
- 低温环境下单裂隙岩体强度损伤及断裂特性分析-岩土工程专业论文.docx
- 2025年度二零二五年度全国知名培训机构教师独家合作合同3篇.docx
- 独角兽梦-商业计划书-初创公司投资机会推介.pptx
- 法律伦理:公正的底线-律师道德修养与职业实践.pptx
- 国际财务-国际财务的理论与实践.pptx
- 2025年公用设备工程师之专业知识(暖通空调专业)考试题库【考试直接用】.docx
- 2025年一级建造师之一建建设工程项目管理考试题库及完整答案(夺冠).docx
- 2025年法律常识题库及完整答案(名师系列).docx
- 冀教版四年级上册数学第六单元 认识更大的数 测试卷(有一套)word版.docx
- 2024年山西省平遥县《执业药师之西药学综合知识与技能》考试题库(轻巧夺冠).docx
- 2024年山东省庆云县《执业药师之西药学综合知识与技能》资格考试题库加答案下载.docx
文档评论(0)