高分子基底上氟碳膜的制备、结构和性能-材料学专业论文.docxVIP

摘 摘 要 本文利用射频磁控溅射的方法，以聚四氟乙烯(PTFE)为靶材， 在聚酰亚胺fPI)和聚丙烯(PP)基底上沉积氟碳膜，对不同工艺条 件(放电功率、真空度、处理时间)进行了探讨。利用扫描电镜 (SEM)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)观察了氟碳膜 的生长情况和表面形貌，初步探讨了成膜机理以及表面形貌与工艺条 件的关系。从s EM的照片上可以看出：随着功率和压力的提高，氟 碳膜颗粒更加密集，粒径变小且分布均匀。随着时间的增加，成膜颗 粒先连成岛，然后勾连成膜，然后逐层生长成多层膜。AFM的测试 结果表明在PI基底上沉积的氟碳膜呈现一种特殊的多叉状粒子，而 在PP基底上的氟碳膜粒子多呈圆形。TEM的观察发现在60min 内，在PI基底上氟碳膜的沉积速度较为均匀，在PP基底上的沉积 速度较慢。 用X．射线光电子能谱(XPS)研究了氟碳膜表面结构随功率和 压力的变化规律，发现氟碳比随功率的增加而减小，随压力的增加而 增大。最后研究了不同功率、压力、溅射时间对氟碳膜憎水性能的影 响，并测量了氟碳膜的接触角，发现接触角随功率的增加而减小，随 压力的增加而增大。时间对接触角的影响较为复杂，在3 0分钟内， 接触角随溅射时间的增加而增大，3 0分钟以后，接触角基本不变。 关键词：射频磁控溅射、PTFE、氟碳膜、成膜机理、表面形貌、表 面结构、接触角、扫描电镜、透射电镜、x．射线光电子能 谱。 Ab Ab stract F1u0 roca rbon Films are prePlt red by fadi0 freqliencY mag ritet r011 sPuttering The p01ytetraflu010ethylene(PTFE) i s U sed as targets．Flttorocarbon Films are deP0 sited 0nto P01Yimide(PI)and P01YP rOPY rene(PP)sub strat es． re sPe etiVelY． Vari0珏s diseharge eonditi0建s (VOItage， va cuunl and treati rlg time、are di s cus sed．The g rowth mecha娃i sm of flU0foca rbon films 8 re i11itiallY studied and thei r rllorph0109Y a re observed by mean$ of Scaniling E1ectr011 Microscopy(SEM)、Atom F0rce MictO se0PY(AFM) and T ransmissio建E|ectrorl Mier0 scopy (TEM) F rom the Phot0 s 0f SEM．We f01,111d that the Particles 0f f1110rocarbon film s dist ribute m01-e uniformly，join nlofe tightlY and diam ete r of th e Pa rti cle S b e come snlalle r With in c rea sing 0f POWef and presstire。Wit蠡i13．c roasil19 treating ti辙e，the Parti cles g r0W int0 islands．alld finallY con st ruct film．The te st 0f AFM indi eat es that the shape 0f flU0r0Carbon fil瓣s Parti c 1e s on PI 8Ub strate qllite Pe cUlia r．and r013．11dness 0n PP S1．1b strate．BY Illeans of TEM We foUl3d the sPeed 0f deposit 011 PI substrate faster than that of 0 rl PP s13．b st rate。 T11e su rfac e st ructU re 0f flU0 roca rb0 rl film s i s a1 s0 i撞v。stigated bY XPS。The rati0 F／C de efe鑫ses with the i11 c rea se of POWe r． but inc rea s e s when P re s sIlle in crea se． The POWer has more nl