电浆气氛对ZnOAl透明导电薄膜之光电特性影响.PDF

崑山科技大學學報第十期 第54~60頁 ( 民國104年9月) Journal of Kun Shan University, No.10, pp.54~60 (September, 2015) 電漿氣氛 對ZnO:Al透明導電薄膜之光電特性影 響 * * * 林天財 蘇良慶 張慎周 崑山科技大學電機工程學系* 摘要 成長AZO 薄膜於塑膠基板上進行 Ar 、Ar:H2 、H2氣氛電漿處理 ，改變電漿處理製程壓 力 ，藉此來改善AZO 薄膜之光電特性 。研究中發現未經處理的 AZO 薄膜電阻率 為 4.2×10-1Ω-cm 平均光穿透率89.7% 。經過氬氫電漿處理後，電阻率下降 ，在低壓的氬氫 電漿處理 ，可獲得較佳電性 ，電阻率為4.26×10-2Ω-cm 、載子濃度為 1.73×1020 cm-3 、載 2 子遷移率為 0.85 cm /Vs ，平均光穿透率為 88% 。高壓的氫氣電漿處理 ，其電阻率 為 -2 20 -3 2 1.72×10 Ω-cm 、載子濃度為 8.4×10 cm 、載子遷移率為 0.92 cm /Vs ，平均光穿透率 為 91% 。由上述結果可知經由電漿處理後皆可改善其薄膜性質，尤其是在高壓的純氫電 漿處理 ，其效果最好 。 關鍵字： ZnO:Al 薄膜、透明導電薄膜 、塑膠基板、電漿處理 壹、前言 透明導電膜已廣泛應用於光電元件上的電極，目前產業界使用最多的是氧化銦錫(Indium Tin Oxide ，ITO) ，為減少In的使用量 即在後續電漿製， 程中的穩定性 氧化鋁鋅， (Aluminum Zinc Oxide ，AZO)逐漸受到重視 ，為使元件輕量化 ，成長透明導電膜於塑膠基板上是一個重要的 課題 ，AZO 薄膜成長於塑膠基板上，由於基板耐熱性不佳使得製程時間不可過長，而且受到 薄膜與基板之間的熱膨脹係數與晶格不匹配等原因[1] ，導致AZO 薄膜成長於塑膠基板上 [2-4] ，其結晶性與電性不佳，一般研究其電阻率只有 4.2×10-1Ω-cm ，藉由電漿後處理的方法 改善薄膜的結晶性與電性 [5-6] 。在電漿後處理方面，藉由電漿給予的熱能，使原子能進行再 結晶，且氫原子具有還原的效果，當氫離子藉由擴散置入薄膜內形成淺層施體能階 [7]增加載 子濃度，以改善薄膜導電性。故本研究先於塑膠基板上成長最佳光電特性的 AZO 薄膜，再藉 由改變電漿處理的壓力與不同的氬氫比例的電漿氣氛，觀察於氣氛壓力高壓與低壓時，改變 不同氬氫比例的電漿對成長於塑膠基板(Polycarbonate, PC)上AZO 薄膜的光電特性之影響。 貳、實驗步驟 本研究利用RF電源供應器進行電漿處理 ，在高氣氛壓力 7.5Torr 與低氣氛壓力3.5mTorr ， 54 崑山科技大學學報第十期 ( 民國104年9月) 於氬電漿、氬氫電漿、氫電漿進行電漿後處理 。在電漿後處理中 ，底壓抽至 3.5×10-5Torr ， RF 功率固定為 100w ，基板溫度為室溫