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集成电路工艺技术 系列讲座 集成电路工艺技术讲座第一讲 集成电路工艺技术引言和硅衬底材料 引言 集成电路工艺技术发展趋势 器件等比例缩小原理 平面工艺 单项工艺 工艺整合 集成电路制造环境 讲座安排 集成电路技术发展趋势 IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小 IC技术发展趋势(1)集成度不断提高－摩尔定律 IC技术发展趋势(2)硅片大直径化 IC技术发展趋势(3)CPU运算能力 IC技术发展趋势(4)结构复杂化　功能多元化 IC技术发展趋势(5)芯片价格不断降低 MOSFET等比例缩小 基本长沟道MOSFET器件特性 短沟道效应 *开启电压Vth下降 *漏极导致势垒下降 *源漏穿通 *亚开启电流增加 基本长沟道MOSFET器件 短沟道效应 开启电压降低 输出饱和特性差 短沟道效应 亚开启电流增加 MOSFET等比例缩小示意 MOSFET等比例缩小规则 恒电场和恒电压缩小 双极型晶体管的等比例缩小 发射极条宽 k 基区掺杂浓度 k1.6 集电区掺杂浓度 k2 基区宽度 k0.8 集电区电流密度 k2 门电路延迟时间