梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg03Zn07O薄膜外延生长.PDF

第35卷摇 第9期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾35 No郾9 2014年9月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Sept. ,2014 文章编号:1000鄄7032(2014)09鄄1040鄄06 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相 Mg Zn O薄膜外延生长 0.3 0.7 1,2 1* 1,2 1,2 1 3 郑摇 剑 ,张振中 ,王立昆 ,韩摇 舜 ,张吉英 ,刘益春 , 1 1 1 1 1 1 1 1 王双鹏 ,姜明明 ,李炳辉 ,赵东旭 ,刘摇 雷 ,刘可为 ,单崇新 , 申德振 (1. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春摇 130033; 2. 中国科学院大学,北京摇 100049;摇 3. 东北师范大学 先进光电功能材料研究中心,吉林 长春摇 130024) 摘要:为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层 和组分渐变缓冲层控制立方相Mg Zn O薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7 的单一立方相Mg Zn O薄 x 1-x x 1-x 膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。 对比实验分析表 明,这种高Zn组分立方相 MgZnO 薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度 (350~400 益)。Mg Zn O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。 0.3 0.7 关摇 键摇 词:立方MgZnO;缓冲层;带隙调制 中图分类号:O484.4摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1040 Controlled Growth of Pure Cubic Mg Zn O Thin Films on 0.3 0.7 c鄄plane Sapphire by Introducing Graded Buffer Layer 1,2 1* 1,2 1,2 1 ZHENGJian ,ZHANGZhen鄄zhong ,WANG Li鄄kun ,HAN Shun ,ZHANGJi鄄ying , 3 1 1 1 1 LIU Yi鄄chun ,WANG Shuang鄄peng ,JIANG Ming鄄ming ,LI Bing鄄hui ,ZHAO Dong鄄xu ,