电子微束分析中粗糙样品表面形貌的蒙特卡洛方法模拟研的模拟-研究.doc

第 1 章 绪论 第 1 章 绪论 1 电子微束分析简介[ 1] 1. 1 扫描电子显微镜的结构与成像原理 电子显微镜技术是一门现代化的显微科学, 是现代显微技术的一个重要分 支。扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）有着很多的优点： 空间分辨率高、放大倍数高、焦深长、可对形貌变化范围较大的区域同时成焦、 可适用于各种样品的形貌以及组分的研究等优势。由于扫描电子显微镜具备上述 优点，使得 SEM 成为现代科学中最为通用、最为广泛的材料表征工具之一。 在扫描电子显微镜成像原理的过程中，电子束聚焦到试样上，激发出背散射 电子和二次电子。探测器接收到背散射电子、二次电子等信号后，将所有的信息 送至显像管中，SEM 镜筒中的电子束和入射到显像管荧光屏上的电子束在扫描 线圈同步作用下，使试样上面不同部位的信号显示在荧光屏上，在荧光屏上得到 样品的扫描电子显微图像。透射电子显微镜（TEM）各个像素上的信号在同一个 时间内一起采集，和 SEM 的成像原理不同，但和光学显微镜的成像原理类似。 通过改变透镜焦距，可以分别得到透射电子衍射图样和样品微区的图像。 图 1.1 是扫描电子显微镜的主体结构，扫描电子显微镜由电子枪控制极，即 栅极、阳极、聚光镜、物镜、探测器、放大器、显像管等部分构成。电子束一般 经两个聚光镜和和一个磁透镜物镜聚焦到样品上，激发出二次电子（SE）、背散 射电子（BSE）和 X 射线光子。三种信号被二次电子（SE）探测器、背散射电 子（BSE）探测器（环形）和 X 光探测器接收。这些信号经过放大器的放大作用， 送至显像管，调整荧光屏的亮度，从而精确地的呈现样品的形貌。 1 第 1 章 绪论 图 1. 1 扫描电子显微镜的主体结构 1. 2 CDS EM简介及在纳米线宽测量中的应用 测长扫描电镜（Critical Dmention Scanning Electron Microscopy， CD-SEM） 是在半导体行业中被广泛用于纳米级临界尺度线宽测量的一种专门的新型扫描 电镜。除了具有常规的 SEM 的特点外，其主要优点在于：很高的分辨率（3nm） 和大的吞吐量，可以实施在线实时监测和线下检测[2]。 通常，利用 CD-SEM 获得二次电子图像关系的方法。这种方法非常简单易 行并适小边墙角的情况引入较大误差。Frase 等人[28, 30]给出了一种指数分布运算。 此 Gorelikov 等人[25]同样测量误差影响较小，相应的线宽确定算法是精确测量的 关键。对于较大体系（1 身物尺度约为 10nm 量级，这种展宽对于通常的大尺度 结构的 CD-SEM特殊点间的简单对应但对几十nm的结构来说是最为重要的误差 来源[4,5]，因为 00nm）线宽的确定，常用几种经验的线宽确定算法（最大导数方 法，递归基线算法和 S 形拟合 1nm 以下[6]。因而，目前只能对线距的测量才有较 2 第 1 章 绪论 信号复边界以抵消误差），而对于无周期性的绝对线宽测量仍然是急待学术上解 决的问高的准确性（可以测量周算法等理效应：即使对于绝对理想的光滑台阶边 沿，二次电子信号的线扫描图也会呈一个有相当展宽的包络线型，这即是二次电 子信号发射的边沿效应种常用公发射的本这时人们很难从图像中确定线边沿位 置，而应用中所需的测量精度要求在期性重式都已变得不再适用，其根本原因归 结于 SEM 中二次电子题。 由于二次电子信号产生涉及电子束与固体的相互作用基本物理过程，因此解 决这个问题必须要从理论上标准样品和 AFM 等其它手段进行了对比研究[7, 2, 8-23]，而理论上则以及发射过程的，这进行全面研究。该问题的复杂性在于：实 际的扫描电镜成像中 Carlo 计算模型有相当的局限 SEM 图像进而对线宽测量的 影响，人们已付诸了大量用蒙特卡洛本物理定方法。然而，由于国际上其它小组 的理论研究中采用的 Monte CD-SEM 中半导体线宽的确定问题（以及更一般的 SEM 中纳米结构测量问题）是当前有关，如纳米结构样品（Monte Carlo）方法 对 SEM 进行了初步模拟研究[3 角情况，可以得到很好的拟合。同样，对于 100nm 小尺寸及小边墙角情拟合得到, 4, 24-34]，试图找出一度的因基几何参数、表面带电 性质、可控电子束参数种精确的线宽确纳米测量技术中的国际前沿研究热点。 迄今为止，型构型与 SEM 线扫描曲线用于大尺度及大边墙角的情况；特殊 点间的简单对应关系的方法。这种方法非常简单易行并适小边墙角的情况引入较 大误差。Frase 等人[28, 30]给出了一种指数分布运算。此 Gorelikov 等人[25]同样特 殊点间的简单对应关系的方法。这种方法非常简单易行并适小边墙角的情况