材料物理性能课件第二章饿能带理论.pptVIP

小结一维周期势场中电子运动 原来自由电子的连续能谱，在晶格的周期势场的作用下，分裂成为被能隙分开的许多能带（产生了能级分裂）。 说明在弱周期势场的作用下，原来简并的能级，一个升高 ?Vn ?，一个降低了 ?Vn ?，二者之间能量差为禁带Eg 特鲁特认为:金属中的价电子 电子气体 同离子碰撞 达到热平衡 电子移动 电流 电导,热导. 洛伦兹认为:电子气体服从麦克斯韦 玻尔兹曼统计. 经典电子气的理论计算结果: N个价电子,3N个自由度,总能量 只计算动能 . 经典物理困难:试验值只有理论值的1%. 索末菲认为:电子不服从经典统计分布而遵守量子 统计分布Fermi-Dirac统计,从而计算出电子气体 的 ,获得了成功。 2.电子气的费米能量 Fermi energy of electron gas 电子气体中的粒子：电子，e 满足：泡利不相容原理（Pauli’s exclusion principle） 服从费米——狄拉克统计（Fermi-Dirac statistics） 电子处在能量为E状态的几率： 　 费米物理意义： 体积不变的条件下，系统增加一个电子所需要的自由能 　　　　　 是温度和电子数的函数． 当 意义：表示在费米能级 , 被电子填充的几率和不被电子填充的几率是相等的． 　　　　　　　　 1）无外电场作用时，无论是满带还是非满带电子对电流的贡献均为零，故晶体中无宏观电流。 无外电场时晶体的能量 和速度 示意图 3. 半导体 (10-2 —109 ?。cm) 在绝对零度下，大多数半导体的纯净完整晶体都是绝缘体。它的能带填充情况和绝缘体相同。差别仅在于： 禁带的宽度 E g 2 e V，而绝缘体 Eg 3-6 eV。 ( Ge = 0.74 eV，Si = 1.17 eV) 半导体的能隙将满带和空带隔开，在弱电场的作用下，不导电。 当温度升高时, 半导体中的电子受热激发(产生光子)，把满带(价带) 的电子激发到本来是空的能带，即从价带跃迁到导带。 1）晶体的对原胞内包含奇数个价电子—必为导 2）晶体的对原胞内包含偶数个价电子： a) 如果存在能量交叠，晶体是导体或半金属； b) 如果不存在能量交叠， 禁带窄的晶体就是半导体； 禁带宽的晶体就是绝缘体。 半导体材料中的光发射与光吸收1.光发射；一般来说，处于高能态导带的电子是不稳定的，他们会向低能态价带跃迁，而将能量以光子的形式释放出来。自发辐射：非相干光——半导体发光二极管LED受激辐射：相干光—— 半导体激光器LD2.光吸收：处于低能态——价带的电子，如果受到外界光的照射。当光子的能量等于或大于禁带宽度时，光子将被吸收而使电子跃迁到导带，从而产生电子-空穴对。 光电探测器的原理 光被禁止出现在光子晶体的带隙---控制光的行为: (1)抑制自发辐射 (2)缺陷产生单模发光,光子导线 (光子计算机) 总结 1、晶体是否导电，取决于电子在能带中的分布情况。 2、晶体是否导电，取决于价电子能级对应的价带是否被电子充满。 3、价带是否被电子充满取 决于每个原胞所含的价电子数目和能带是否交叠。 FIGURE The various possible electron band structures in solids at 0 K. 习题 1、试述导体、半导体、绝缘体的导电性的差别产生的原因。 2、如何根据价电子排布判断导电类型？ 3、能带产生的原因是什么？ 3. 微扰法 用微扰对 ? 和 E 进行修正，微扰计算的结果导致能级发散。 4. 简并微扰法 把由 k 和 k’ 态的线性组合波函数代入薛定谔方程，在 的条件下，同样得到 ， Vn 为三 维周期场的付里叶分量。 表明：能量的本征值在 k2 = (k + G)2 布里渊区边界上发生能量跳变，可能出现禁带。 禁带的宽度： 5. 三维晶体的能带也具有周期性和反演对称性 6. 三维晶体的能带与一维的重要区别： 一维：在布里渊区