深亚微米集成电路制造中刻蚀机理工艺研究及应用电子与通信工程专业论文.docxVIP

第 第 一 章 刻蚀 工 艺介 绍 第 一 节 刻 蚀 工 艺 的发 展 所 谓 蚀 刻 是 用 化 学 或 者 物 理 方 法 有 选 择 地 从 硅 片 表 面 去 除 不 需 要 的材 料 的 过 程 [’]。 蚀 刻 的基 本 目标 是 在 涂 胶 的硅 片上 正确 地 复制 掩 膜 图形 。有 图形 的光 刻 胶 层 在 蚀 刻 中不 受 到 腐 蚀 源 显 著 的侵 蚀 。这 层 掩 蔽 膜 用 来 在 蚀 刻 中 保 护 硅 片 上 的特 殊 区域 而 原 则 选 择 性 的刻 蚀 未 被 光 刻 胶 保 护 的 区 域 。 图 1.1 给 出 了在 集 成 电路 制 造 过 程 中 图 形 转 移 的 典 型 步 骤 。 l一i及b t 加k\我娜 毕 井沙妙 叮脚 兰 S U b s t f 丘t { 一弩 缨 一…夔 弩 - n 加1 月仁P 书 1ti仆口 P h 磁 c 理’幼鱿 扭即 ljc a ti。口 E 工P 沉 u r 祀 E tc h 口j盆‘k 嘿 爵 嘿 ~ 二 ~ 一产~ 一 祠’…一 洲 rk 、吧l叩 [11赴rl t 〔t仁h in 从 I屯〔‘i鱿 r 〔n l。、汪- 图 1.1 集 成 电路 制 造 过 程 中 图 形 转 移 的典 型 步 骤 通 常 的 工 艺 流 程 中刻 蚀 都 是 在 光 刻 工 艺 之 后 进 行 的 ，所 以刻 蚀 可 以看 成 在 硅 片 上 复 制 所 想 要 的 图 形 的 最 后 主 要 图形 转 移 工 艺 步 骤 。蚀 刻 工 艺 的 正 确 行 进 是 很 关 键 的 ，蚀 刻 的 结 果 决 定 了 图 形 转 移 的精 度 ，因 此 直 接 影 响 集 成 电路 的性 能 。并 且 一 旦 材 料 被 蚀 刻 去 掉 ，在 蚀 刻 过 程 中所 犯 的错 误 将 难 以纠 正 。 通 常 一 个 好 的 的刻 蚀 工 艺 应 该 包 含 以下 特 性 : 了 良好 的 刻 蚀 速 率 均 匀 性 ，不 仅 仅 是 片 内 的均 匀 性 ，还 包 括 片 与 片 之 间 ，批 次 与 批 次 之 间 。 了 高 选 择 比 ， 被 刻 蚀 材 料 的刻 蚀 速 率 远 大 于 光 刻 胶 和 衬 底 的损 失 率 。 了 无 残 留 ， 刻 蚀 过 程 中 不 应 生 成 不 挥 发 的 、 难 以 去 除 的 刻 蚀 副 产 品 和 微 粒 。 了 低 的器 件 损 伤 ， 即 在 刻 蚀 过 程 中不 应 产 生 任 何 对 衬 底 、 薄 膜 以及 器 件 的 电损 伤 或 等 离 子 损 伤 。 / 可 控 的 良好 的 侧 壁 形 貌 和 良好 的特 征 尺 寸 (Cr itical Di m ell sion) 控 制 。 了 获 得 可 接 受 的 产 能 的 蚀 刻 速 率 。 了 了 宽 的工 艺 制 造 窗 口(P roces: w in dow )。 刻 蚀 工 艺 在 集 成 电路 制 造 过 程 的 发 展 基 本 经 历 了从 湿 法 刻 蚀 到 干 法 刻 蚀 的 过 程 。 1.1.1 湿 法 刻 蚀 在 集 成 电路 发 展 的早 期 即 60 年 代 到 70 年 代 中期 ，由于 线 宽 比较 大 ，集 成 的 电路 元 件 也 少 ，湿 法 刻蚀 被 用来 作 图形 转 移 。它把 硅 片浸 泡在 一 定 的化 学试 剂 或 试 剂 溶 液 中 ， 使 没 有 被 抗 蚀 剂 掩 蔽 的那 一 部 分 薄 膜 表 面 与 试 剂 发 生化 学 反应 而 被 除 去 。这 种 在 液 态 环 境 中进 行 刻 蚀 的方 法 称 为“湿 法 ”刻 蚀 。例 如 ，用 氢 氟 酸 溶 液 来 刻 蚀 二 氧 化 硅 ，用 氢 氟 酸 和 硝 酸 混 合 液 来 刻 蚀 硅 ，而 氮 化 硅 则 用 热 磷 酸 来 刻 蚀 。反 应 方 程 式 如 下 : 5 10 2 + 6 H F 今 H Z S IF 6 + ZH Z O (1.1) 5 1 + ZH N O 3 + 6 H F 令 H Z S IF 6 + 2 玉IN O Z + Z H ZO (1.2 ) S i3N 4 + 4 H 3P O 4 令 5 13(P O 4 )4 + 4N H 3 (1.3 ) 湿 法 蚀 刻 的蚀 刻 速 率 主 要 受 两 个 因 素 的 影 响 : 化 学 液 体 的温 度 和 化 学 试 剂 的浓 度 。 而 表 1.1 则 显 示 了在 腐 蚀 过 程 中必 须 控 制 基 本 的湿 法 蚀 刻 参 数 。 表 1.1 湿 法 蚀 刻 参 数 参温时一浓搅批数度度间书一动 控