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2019-02-04 发布于天津
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半导体元件物理与应用.PDF

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半导体元件物理与应用

半導體元件物理與應用光電四乙張宇呈 4A2L0072 射極能隙窄化效應非常高的射極區摻雜，可能得到一個小於我們預期的電流增益電流擁擠效應 射極邊緣的電流密度較大局部熱效應、局部高階注入  功率電晶體用來處理大電流之功用，需保有夠大的射極區面積，為了避免電流擁擠效應很窄的射極寬度，以指叉狀設計橫向的射極區與基極區有效達到所需要的射極區面積參考文獻  半導體元件與物理第四版( ) ，Donald A.Neamen著、楊賜麟譯，滄海書局 .tw/url?sa=trct=jq=esrc=ssource=web cd=1ved=0ahUKEwjojYmBvI_RAhXMiLwKHQnDC- sQFggYMAAurl=http%3A%2F%2F.tw%2FEshareF ile%2F2012_12%2F2012_12_76628a2e.pptusg=AFQjCNHNWSyO O1ZbKOV4c-EH9b_aDSNOngsig2=YMRcNwWw-- lKq54BnW1RZQ ，PPT ，網路資料