超临界co2微乳液去除光刻胶的研究微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

lIII lIII I I EI II[I I II I II I III ＼1 93502 1 原创性声明 本人郑重声明： 所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下， 独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外， 本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品或成果。 对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式 ● 标明。本声明的法律结果由本人承担。 论文作者签名： 室燃 日期： 垫!L三：三生 学位论文使用授权的声明 本人完全了解山东大学关于收集、保存、使用学位论文的规定， 即，同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电 子版，允许论文被查阅和借阅；本人授权山东大学可以将本学位论 文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩 ● 印或其它复制手段保存论文和汇编本学位论文 (保密论文在解密后应遵守此规定) 论文作者签名：整篮鱼受 导师签名：之皿鱼美 日期：2旦』!：垒肜 ? ? ? 山东大学硕十学位论文目 山东大学硕十学位论文 目 录 摘要 。l ABSTRACT ．．III 符号说明 ．．Ⅵ 第一章绪论 ．．1 1．1概述 1 ■ 1．1．1超临界二氧化碳(scC02) ．1 1．1．2超临界C02微乳液 3 1．1．3超临界C02的应用 5 1．1．4光刻胶 。10 1．2研究现状与进展 ．1 1 1．3课题的选取 12 第二章实验设备与测试分析方法 14 ● 2．1超临界C02清洗设备系统 14 2．2测试分析方法 1 6 2．2．1样品表面成分测试 ．．16 2．2．2样品表面形貌分析 ．．1 8 2．2．3污染物的去除分析 。19 第三章超临界C02去除高温烘干光刻胶的性能研究 ．2l 3．1实验样品的制备 。 21 3．1．1清洗衬底 。21 ● 3．1．2旋涂光刻胶 ．．21 3．2超临界清洗的步骤与条件 ．22 3．2．1超临界清洗步骤 。22 3．2．2超临界清洗条件 。23 3．3光刻胶去除率的分析与计算 ．23 3．4实验结果影响因素分析 24 3．4．1烘干温度对光刻胶去除率的影响 。24 山东大学硕士学位论文皇量鼍曼量量昌量量曼皇舅舅量舅量量量罾量量量鼍量量皇置曼曼皇皇璺曼舅量曼曼皇皇曼曼皇鼍曼曼暑鼍L—ill— 山东大学硕士学位论文 皇量鼍曼量量昌量量曼皇舅舅量舅量量量罾量量量鼍量量皇置曼曼皇皇璺曼舅量曼曼皇皇曼曼皇鼍曼曼暑鼍L—ill— m．曼量曼量鼍量舅皇曼曼置 3．4．2衬底和清洗压强对光刻胶去除率的影响 ～26 3．4．3温度和清洗时间对光刻胶去除率的影响 27 3．4．4助溶剂种类及用量对光刻胶去除率的影响 28 第四章超临界C02去除高浓度离子注入光刻胶的性能研究 30 4．1实验样品的制备流程 ．30 4．2实验条件与测试分析 3 1 4．2．1实验条件 ．．3 1 ■ 4．2．2测试分析 ．．33 4．3实验结果与影响因素讨论 33 4．3．1清洗压力和反应温度对光刻胶去除率的影响 ．．33 4．3．2磁搅拌和清洗时间对光刻胶去除率的影响 ．．38 4．3．3不同种类表面活性剂对光刻胶去除率的影响 。41 4．3．4表面活性剂浓度和水含量对光刻胶去除率的影响 ．．46 4．4．与传统清洗方法的对比 。49 第五章结论 ．52 ● 参考文献 。54 致谢 60 攻读硕士学位期间发表的论文 。61 攻读硕士学位期间参与的科研项目 ．．61 山东大学硕十学位论文CoNTENTS 山东大学硕十学位论文 CoNTENTS ABSTRACT(in Chinese) 一I ABSTRACT ．．III List of symbols ．VI Chapter 1 Introduction 1 1．1 Overview ．．1 ● 1．1．1 Supercritical carbon dioxide(scC02) 一1 1．1．2 scC02 microemusion 3 1．1．3 Applications ofscC02 ．．5 1．1．4 Photoresist background ．1 0 1．2 Current research progress ．1 1 1．3 Motivation and research strategy ．．12 Chapter 2 Experimental equipment and analytical techniques 14 2．1 Supercritical C02 cleaning system ．．14 ● 2．2 Measurement and analysis methods ．1 6 2．2．1 Analysis of structure