高介电常数CaCu3Ti4O12陶瓷材料的研究现状.pdfVIP

( ) 第 3 8卷 第 3期 　　　　　　　　　　　　　　　 上海师范大学学报 自然科学版 Vol. 3 8 , No. 3 ( ) 2 0 0 9 年 6 月　　　　　　 　　　　　Journal of Shanghai Norm al Un iversity N atu ral Sciences 2 0 0 9 , Jun . 高介电常数 CaCu 3 T i4 O12 陶瓷材料的研究现状 杜国平 (上海师范大学 数理信息学院 , 上海 200234) 摘 　要 : CaCu Ti O (CCTO ) 陶瓷材料因具有反常的高介电常数以及优异的温度稳定性而显 3 4 12 示出广泛的应用前景. 介绍了 CCTO 陶瓷材料的晶体结构 、制备方法 、介电性能和微观介电机 制 ,综述了 CCTO 陶瓷材料的介电性能改性方面的研究现状. 关键词 : CaCu Ti O ;陶瓷材料 ;介电性能 3 4 12 中图分类号 : TB34　　文献标识码 : A 　　文章编号 : (2009) CaCu Ti O (CCTO ) 陶瓷材料的高介电常数由 Sub ram an ian 等人 [ 1 ] 于 2000 年发现 ,他们同时发现 3 4 12 CCTO 陶瓷的介电常数在很宽的温度范围内非常稳定 , 因此被认为是具有重要应用前景的介电材料之 一 ,并随之引起了介电材料领域研究人员的极大关注. Hom e s等人 [ 2 ] 发现在 250K温度低于 20kH z 的频 5 [ 3 ] 率下 CCTO 单晶的介电常数超过 10 . CCTO 薄膜材料也被发现具有很高的介电常数 , 因此 CCTO 在 微电子领域也将具有很大的应用潜力 ,这是因为微电子技术正朝着器件小型化的方向迅速发展 ,而制备 高介电常数和高品质因子的介电材料则是器件小型化的关键之一. Kretly等人 [ 4 ] 已用 CCTO 陶瓷制备 出平面微波天线的底层 ,可以在 2 ～3GH z范围内稳定地运行 ,并研制出一种运行频率在 3GHz下带宽为 ( ) 270MH z的天线原型 ,达到多种无线通信系统 如 WLAN 、PCS、W i - F i等 的技术要求. 2004 年 , Chung等人 [ 5 ] 发现 CCTO 陶瓷材料具有极强的 I - V 非线性行为 ,其非线性性能比 ZnO 材 料高得多 随后 , CCTO 的 I - V 非线性行为得到了更多的关注 [ 6, 7 ] . 由于其优异的 I - V 非线性性能 , CCTO 可能是取代现今大量使用的 ZnO 材料制备高性能变阻器件的更理想材料. 目前对 CCTO 材料的研究主要集中在掺杂改性方面 ,试图进一步提高其介电性能. 本文作者首先对 CCTO 材料的基本结构 、制备方法 、介电性能和微观介电机制进行阐述 ,然后对 CCTO 材料的研究现状 进行综述. 1　CCTO 陶瓷材料的晶体结构 、制备方法 、介电性能和微观介电机制 图 1为 CCTO 的晶体结构示意图[ 1 ] ,可以看出 CCTO 为类钙钛矿结构 ,每个晶胞包含 8个 TiO6 八面 体. 一般说来 ,具有钙钛矿结