电介质物理PPT教学课件 第3章-电介质中的电荷转移.pptVIP

电介质物理 -第3章电介质中的电荷转移 3.1 电传导和电荷转移 电介质中的载流子及其迁移 电介质中总存在少量载流子(如本征激发或杂质激发的传导电子或空穴、离子、荷电胶粒、离子团、空间电荷等)，从而产生电导效应。 设第i种载流子的电荷绝对值、浓度、迁移率分别为ei,ni,mi,则每种载流子贡献的电导率为 si=einimi. (3.1) 总电导率 (3.2) 通常，载流子浓度和迁移率随温度T、电场强度E而变化，故 (3.3) 一般来说，在低电场(E105V·cm-1)时，ni和mi只受温度影响(遵循欧姆定律)，而在高电场时， ni和mi受电场影响变得显著(偏离欧姆定律)。 3.4 弱电场中的电流 直流离子电导 直流电子电导 交流电导 导电离子 -Schottky Frenkel缺陷 晶体在绝对零度之上存在本征点缺陷:Schottky缺陷(空位式点缺陷)Frenkel缺陷(填隙式点缺陷: 空位-填隙离子). 设晶体中含有N个相同离子,晶体体积与温度关系可忽略.产生一个空位所需能量Es定义为将晶体内部格点上的一个离子移至晶体表面所做的功,设Es与温度无关.体系自由能F=U-TS与空位浓度ns有关.在热平衡态下F应为极小,即 (3.31) 形成ns个空位,使内能增加 (3.32) 在N个格点中出现ns个空位的可能排列数为 (3.33) 体系的熵因而增加 DS=klnPs. (3.34) 导电离子 -Schottky Frenkel缺陷 因此,出现ns个空位时自由能增量为 DF=DU-TDS=nsEs-kTlnPs. (3.35) 以式(3.33)与(3.35)代入(3.31)式,得 (3.36) 利用Sterling近似公式,当x很大时有 ln(x!)=xlnx-x, (3.37) 于是(3.36)可近似为 (3.38) 由于ns?N,近似地由上式得 ns=