基于MoO3居间层有机半导体器件的界面电子结构研究分析-物理学专业论文.docxVIP

学位论文原创性声明本人郑重声明，所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研 学位论文原创性声明 本人郑重声明，所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研 究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了论文中特别加以标注和致 谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也 不包含为获得中南大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材 料。与我共同工作的同志对本研究所作的贡献均已在论文中作了明确 的说明。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切相关责任。 作者签名：弛 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者和指导教师完全了解中南大学有关保留、使用学 位论文的规定：即学校有权保留并向国家有关部门或机构送交学位论 文的复印件和电子版；本人允许本学位论文被查阅和借阅；学校可以 将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用 复印、缩印或其它手段保存和汇编本学位论文。 保密论文待解密后适应本声明。 作者签名：拙 导师签名出导师签名兰J∑羔．必 日期：边盟年』月王日 日期：碰年土月乒日 万方数据 中南大学硕士学位论文 中南大学硕士学位论文 摘要 基于M003居间层有机半导体器件的界面电子结构研究 摘要：在有机光伏器件中，常利用MoO，来充当阳极和有机空穴型材 料之间的居间层，以降低空穴抽取势垒并兼有阻止电子抽取的功能， 从而大大提高相应的有机太阳能电池的功率转化效率，促进其性能。 为深入了解其物理机制，本文首先利用紫外光电子能谱(UPS)和角分 辨X射线光电子能谱(AR．XPS)研究了空气暴露下MoOx薄膜的氧等 离子气体处理效应。发现空气暴露下MoOx薄膜的功函数的降低能通 过表面氧等离子体处理部分回升。经测量，总共功函数回升略大于 64％，能为大部分空穴输运材料提供合适的空穴提取层。蒸镀制备而 成的MoOx薄膜经氧等离子体处理后，表面形成一层很薄的富氧吸附 层，导致功函数不能完全恢复。AR-XPS结果显示，氧等离子体处理 后，氧元素和钼元素芯能级向低束缚能移动了约O．1 eV，并证实了蒸 镀形成的MoOx薄膜上存在氧缺失。 然后研究了基于M003充当缓冲层的C60／TAPC／MoOx／ITO的界面 电子结构演化和能级接合特点。在MoOx表面沉积TAPC后，TAPC／ MoOx界面间由于电子从TAPC层转移到MoOx层，形成了1．58 eV的 偶极子。TAPC层能带向下弯曲有利于空穴输运到TAPC／MoOx界面。 在TAPC沉积厚度约为30A时，能级移动达到饱和。随后在TAPC 上沉积C60形成了O．27 eV的界面偶极子，这是因为电子从TAPC层 转移到C60层，导致C60／TAPC界面附近TAPC的HOMO能级下降， 因此进一步加剧了TAPC的能带弯曲。从而有效增加了C60／TAPC异 质结的最大开路电压。 关键词：有机半导体器件；MoO，居间层；界面电子结构；界面能级 接合；光电子发射谱 分类号：0469 万方数据 中南大学硕士学位论文 中南大学硕士学位论文 Abstract Interfacial electronic structure in M003--based organic semiconductor devices Abstract： Extensive studies have been conducted on molybdenum oxide since it has outstanding properties as an insertion layer for ef|cicient charge inj ection and extraction in organic semiconductor devices． Efj[icient charge transfer at semiconductor and electrode interface is one of the most crucial issues for the performance of organic electronic device． A lot of efforts have been spent to address this issue but there are still many unclarified issues to understand the physical mechanisms．Oxygen plasma(OP)treatment on air exposed molybdenum oxide(Mo