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基于混沌理论的气体绝缘组合电器局部放电窄带去噪及识别分析-电气工程专业论文.docxVIP

基于混沌理论的气体绝缘组合电器局部放电窄带去噪及识别分析-电气工程专业论文.docx

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中文摘要 中文摘要 重庆大学博 重庆大学博士学位论文 I I PAGE PAGE VI 摘 要 在我国经济飞速发展和城镇化建设大力推进的同时,城市用电负荷也急速增 长,城市建设用地却日益紧张,气体绝缘组合电器(Gas Insulated Switchgear,简 称 GIS)已逐渐成为现代城市供电变电站建设的首选设备。近年来,国内外很多 GIS 在长期运行过程中出现了严重的事故,其内部绝缘缺陷产生的局部放电(Partial Discharge,简称 PD)是引发事故的重要因素之一。因此,为保证 GIS 的安全可靠 运行,国内外对 GIS PD 在线监测技术开展了大量的研究。为使在线监测达到较理 想的效果,需要能够准确地从 GIS 中采集到有效的 PD 信号;由于现场干扰较大, 还需要进一步对采集的 PD 信号进行去噪处理;最后还要对故障类型进行诊断,为 预防事故的发生奠定良好基础。 本论文就 GIS 中 PD 信号的采集、处理以及故障类型的识别和诊断的原理和方 法进行了研究,主要工作体现在以下几个方面: 在分析国内外 GIS 局部放电检测研究成果基础上,对适用于 GIS 局部放电 现场检测的外置超高频(UHF)传感检测技术进行了深入研究,成功研制了可用 于 GIS 现场监测的矩形平面螺旋天线,采用矩形螺旋、蝶形加载、背腔结构优化 等技术手段,既可使螺旋天线小型化,又能得到优良的驻波比特性。工作频带在 1.0~1.3GHz,1.8~2.7GHz,2.85~3GHz,实测最大增益达到了 11.7dB;在结构上, 对矩形平面螺旋天线背面和侧面采用金属材料屏蔽封装设计,提高了天线的抗干 扰能力。 针对局部放电信号中窄带干扰的抑制问题,从非线性理论出发,基于Van-der 混沌振子的运动特性,提出一种用Ven-der混沌振子对周期信号的敏感性,抑制局 部放电信号中窄带干扰方法。重新定义了一种Floquet指数并对混沌振子的运动状 态进行判别。由于Ven-der振子模型对白噪声和局部放电信号具有免疫力,该方法 可以有效地估计局部放电信号中窄带干扰的幅值,保证去噪后局部放电信号具有 较小的失真。仿真和实测PD信号去噪效果表明,联合使用混沌算法和小波分析算 法能够很好去除局部放电信号中的窄带干扰和白噪干扰信号,为后续的模式识别 奠定了基础。 设计了四种 GIS 内部常见的典型绝缘缺陷模型,利用实验室研制的 UHF 检测 系统检测四类绝缘缺陷不同电压等级下的 PD 信号,并根据得到实验数据分别构造 UHF PD 三维谱图。实验结果表明:不同绝缘缺陷 PD 放电特性差异明显且具有重 复性,满足模式识别要求。 提出了一种新的 PD 三维谱图混沌特征提取方法,通过对三维谱图不同相位下 脉冲序列的混沌特性的深入分析研究,验证了不同相位下的局部放电具有混沌特 性,提取了 36 个不同谱图相位下的最大 Lyapunov 指数特征。同时,结合 SVM 分 类器的方法进行模式识别,取得了满意的识别效果,总体识别率均超过了 85%, 特别是对 G 类缺陷具有很强的识别能力,与统计特征识别法具有互补性。 将 DS 证据理论对混沌特征识别方法和统计特征识别方法的融合决策诊断引 入 GIS 故障分析,以 SVM 分类器输出值经转换后直接作为识别框架上各命题的 BPA,在解决了复杂的 BPA 构造问题的同时保证其赋值不失合理性。根据实际情 况制定了融合决策诊断的 3 条判定规则并建立诊断系统,大幅提升了各类绝缘缺 陷,特别是气隙类缺陷的识别准确性。多信息输入时将原本高维的输入特征降解 为并行的低维特征,精简了诊断系统,更具实用性。 关键词:局部放电,干扰抑制,混沌监测,模式识别,故障诊断 英文摘要 英文摘要 重庆大学博 重庆大学博士学位论文 III III PAGE PAGE IV ABSTRACT With the rapid development of technology and economy, the lack of land resources has become a new problem. Gas Insulated Switchgear (GIS) play an importment role in electrical power system for its compactness. In recent years, in the long term of operation many GIS both at home and abroad appeared serious accidents and partial discharge (PD) is one of the important factors that cause

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