节能镀膜窗口用镓重掺杂氧化锌纳米晶及薄膜的制备研究-材料加工工程专业论文.docxVIP

节能镀膜窗口用镓重掺杂氧化锌纳米晶及薄膜的制备研究-材料加工工程专业论文.docx

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万方数据 万方数据 Classified Index: TB34 U.D.C: 620 Dissertation for the Master Degree in Engineering RESEARCH ON THE PREPARATION OF GALLIUM HEAVILY DOPED ZnO NANO-CRYSTALS AND FILMS FOR ENERGY-EFFICIENT COATING WINDOWS Candidate: Jie Zeng Supervisor: Associate Prof. Guigen Wang Academic Degree Applied for: Master Degree of Engineering Speciality: Materials Processing Engineering Affiliation: Shenzhen Graduate School Date of Defence: June, 2014 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 摘 要 随着社会节能环保的发展,对建筑物智能窗口提出了更高的要求。透明导 电薄膜在可见光区域有高的透过率,在近红外区域有高的反射率,在节能镀膜 窗口领域有着诸多应用优势。掺杂氧化锌相对于常用 ITO 相比,有原料丰富、 环境友好等优势.。其中,镓掺杂的氧化锌(GZO),由于镓原子半径与锌原子 半径接近,尤其是其纳米晶,更容易实现其高载流子浓度的重掺杂,从而实现 更短的红外截止波长和更高的红外反射率。本论文针对 GZO 纳米晶及其薄膜 的制备,首先采用双靶磁控溅射,制备了不同掺杂含量的 GZO 薄膜。此外, 采用高温液相法制备 GZO 纳米晶体,并通过旋涂处理制备 GZO 薄膜。最后, 针对这两种方法所制备的 GZO 薄膜,研究其在节能镀膜窗口领域的应用。 以金属锌和氧化镓为靶材,双靶磁控溅射沉积 GZO 薄膜的试验表明,该 方法制备的 GZO 薄膜具有(002)的择优取向。XPS 和 XRD 试验表明薄膜实 现了有效掺杂,镓的最大掺杂量为 6.56at.%。紫外-可见光谱测试表明,GZO 薄膜在可见光区域(380~800 nm)平均透过率为 89%,而还原气氛退火将会 有效改善薄膜的结晶质量和光学性质,可见光区域最大透过率为 91%。可见- 近红外光谱的测试表明:随着镓靶溅射功率的改变,薄膜在近红外区域光的吸 收出现了蓝移现象,且在近红外区域(1700~2500 nm)透过率已小于 7%。 高温液相法制备 GZO 纳米晶的试验表明,硬脂酸锌与 1,2-十二烷二醇发 生酯化反应生成了纳米晶,并且有机溶剂的清洗能有效去除溶液的杂质。XRD 表明高温液相法能制备出结晶质量好的氧化锌,结合 EDS 表明镓已实现了有 效掺杂,反应温度、保温时间、油酸和 1,2-十二烷二醇含量对 ZnO 纳米粒子 掺杂及其光学性质有显著影响。TEM 表明高温相法制备的纳米粒子直径为 5 nm 左右,FTIR 研究表明 GZO 纳米粒子在近红外区域的吸收强度逐渐增加, 吸收峰逐渐蓝移。通过旋涂制备了 GZO 薄膜,比较了厚度及成分对 GZO 薄 膜结构和性能的影响。采用高温溶液法制备的 GZO 薄膜,在智能窗口上有较 好的的应用前景。 关键词:镓掺杂氧化锌;双靶磁控溅射;高温液相法;退火;节能镀膜窗口 I Abstract With the development of energy saving, higher requirements for smart window of bulidings have been proposed. Due to high transmittance in the visible region and high reflectivity in the near infrared region, TCO ( transparent conductive oxide ) films have many advantages for energy-efficient coating window applications. Compared with commonly used ITO films, zinc oxide is abundant and environmental friendly. Moreover, the size of gallium atom is very close to that of zinc atom, gallium-d

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