利用特殊脉冲电源电沉积制备CuInSe2薄膜ViewTableofContents.PDF

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利利用用特特殊殊脉脉冲冲电电源源电电沉沉积积制制备备CuInSe 薄薄膜膜 2 王晓丽, 王广君, 田宝丽, 万绍明 and 杜祖亮 Citation: 科学通报 55, 1094 (2010); doi: 10.1360/csb2010-55-12-1094 View online: ttp://engine.scic /doi/10.1360/csb2010-55-12-1094 View Table of Contents: ttp://engine.scic /publis er/scp/journal/CSB/55/12 Publis ed by t e 中国科学》杂志社 Articles you may be interested in 电沉积多晶CuInSe 薄膜的光电化学—— Ⅰ.CuInSe 薄膜的电沉积 2 2 Science in C ina Series B-C emistry , Life Sciences Eart Sciences (in C inese) 21, 583 (1991); 脉冲激光沉积SrBi Ta O 铁电薄膜的研究 2 2 9 C inese Science Bulletin 42, 220 (1997); 脉冲激光沉积纳米TiO 薄膜电极的现场光电化学 2 Science in C ina Series B-C emistry (in C inese) 29, 546 (1999); FeS (pyrite) 电沉积薄膜及其生长机制 2 Science in C ina Series E-Tec nological Sciences (in C inese) 35, 1166 (2005); 脉冲准分子激光PZT铁电薄膜沉积及其特性研究 C inese Science Bulletin 40, 89 (1995); 2010 年 第 55 卷 第 12 期: 1094 ~ 1098 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 利用特殊脉冲电源电沉积制备CuInSe 薄膜 2 王晓丽, 王广君, 田宝丽, 万绍明, 杜祖亮* 河南大学特种功能材料教育部重点实验室, 开封 475004 * 联系人, E-mail: zld@ 2009-07-10 收稿, 2009-09-14 接受 国家自然科学基金(批准号 :和高等学校科技创新工程重大项目培育资金(编号: 708062)资助项目 摘要 采用钟形波调制的方波脉冲电源以恒电流模式在导电玻璃基底(ITO)上电沉积制得了 关键词 CuInSe2 薄膜, 用扫描电子显微镜(SEM)、X 射线能谱仪(EDS)和X 射线衍射仪(XRD)对在不同 钟形波 频率下制备的 CuInSe2 薄膜的表面形貌、成分组成和组织结构进行了研究. 结果发现, 在合适 脉冲电沉积 频率下制得的薄膜表面平整, 颗粒均匀致密, 成分接近理想化学计量比, 具有单一的黄铜矿结 恒电流模式 CuInSe2 薄膜 构. 在氮气气氛下退火处理后, 薄膜结晶性能有较大提高. 同时, 通过薄膜截面分析发现, 在 太阳能电池 脉冲恒电流模式下沉积速率较快, 膜层与基底结合紧密, 对工业化生产具有重要意义.

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