低功耗CMOS带隙基准源.PDFVIP

第 五届(北京)大 学生集成 电路 设计大赛专栏 低功耗CMOS带隙基准源 哈尔滨理工大学 赵玉迎 厚 娇 常 金 姜久兴 赵 波 【摘要】 本文采用了CSMC 0.18um的标准CMOS工艺，设计了一种工作在亚阈值区的低功耗CMOS带隙基准源，本设 计电路是由纯MOS管组成，不包含双极型晶体管，采用工作在线性区的MOS管代替电阻，减少了芯片的面积，工作 在亚阈区的MOS管也使得系统的功耗有所降低。室温下，整个电路系统的电流（包含启动电路）为433.08nA，功耗为 649.6nW，版图面积为0.0048mm2，工艺流程与标准CMOS工艺有很好的兼容性。 【关键词】 带隙基准；低功耗；亚阈值区 Abstract: This article uses CSMC 0.18µm standard CMOS process technology, a low power CMOS voltage reference was developed using 0.18µm CMOS process technology, The device consists of MOSFET circuit operated in the subthreshold region and used no resistors, the design of the circuit is composed of pure MOS transistors, does not include the transistors, using a strong-inversion of the MOS transistor instead of resistance, greatly reducing the chip area,working in sub-threshold region MOS transistors also makes the system power consumption is greatly reduced. At room temperature, the current overall circuit (including start-up circuit) is about 433.08nA, the power is 649.6nW, the layout area is 0.0048mm2, process have good compatibility with standard CMOS process. Key words: bandgap reference; low power; subthreshold 中M -M 的栅极和源极两极电压和电流源子电路中的M 3 7 R1 0 引言 构成了一个闭环的形式。除了MR1所有的MOS管都工作在 亚阈值区[4-7] 。MOS 电阻M 工作在强反型的三极管区。 R1 便携式电子产品已经成为当今消费者的重要需求， 电路具有两个相反温度系数的电压，把这两种温度系数 SoC技术的广泛应用已经成为当今发展的重要趋势，低功 的电压结合起来，就可以产生一个与温度没有关系的基 [1] 耗是SoC系统的发展目标 。为了降低功耗，应尽可能的 准输出电压。 减少SoC每一个子电路的功耗，基准源作为这些子电路的 重要组成部分，发挥着重要的作用。基准源的设计朝着 降低电源电压、降低系统功耗、减小芯片面积、容易集 成的方向发展。