机械行业：刻蚀设备，国产崛起可期待，工艺进步促需求.docxVIP

研究报告? 评级 看好 维持 什么是半导体刻蚀设备 市场格局：巨头垄断，国产可期 需求趋势：工艺进步推动需求向上 海外借鉴：高研发构筑内生增长 CHAN GJIA N￠? SECU R IT I ES 刻蚀工艺通常位于光刻工艺之后 图1： 刻蚀工艺位于光刻工艺之后 资料来源：《半导体制造技术》（中国工信出版集团、电子工业出版社，Michael Quirk, Julian Serda著）,  刻蚀技术 湿法刻蚀 干法刻蚀 刻蚀材料 硅刻蚀 介质刻蚀 金属刻蚀 刻蚀是半导体制造核心工艺之一 薄膜沉积、光刻和刻蚀是半导体制造的三大核心工艺 薄膜沉积工艺在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀把光刻胶上图形转移到薄膜，洗掉光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移 一颗芯片有数十层光罩，半导体制造即在薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺中循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上 图2：薄膜沉积、光刻和刻蚀是半导体制造三大核心工艺 资料来源：《半导体制造技术》（中国工信出版集团、电子工业出版社，Michael Quirk, Julian Serda著）, 图3：刻蚀的目的是把图形从光刻胶转移到待刻蚀的薄膜上 薄膜沉积---长一层待刻蚀薄膜 薄膜沉积---长一层待刻蚀薄膜---沉积设备 匀胶---涂抹光刻胶 ---匀胶机 光刻---把图形从光罩复刻到光刻胶---光刻机 显影---去掉经曝光的光刻胶 显影---去掉经曝光的光刻胶---显影设备 刻蚀---挖掉缕空的薄膜 ---刻蚀机 去胶---去掉剩余光刻胶 ---去胶机 资料来源： 《半导体制造技术》（中国工信出版集团、电子工业出版社，Michael Quirk, Julian Serda著）, 刻蚀设备主要指标 表1：刻蚀设备主要指标包括刻蚀速率、剖面、偏差、选择比等 指标类型 指标表述 刻蚀速率 刻蚀过程中去除待刻蚀的材料的速度，通常越快越好 刻蚀剖面 各向异性刻蚀只在垂直方向刻蚀，能保证侧壁上下宽度一致，干法刻蚀通常是各向异性的，为现在主流刻蚀方法 各向同性刻蚀在各个方向上以相同的速率刻蚀，会造成光刻胶下的钻蚀，导致线宽损失，湿法刻蚀通常各向同性 刻蚀偏差 刻蚀后线宽或关键尺寸间距的变化，即刻蚀得到的图形比光刻胶更凹进去通常由横向钻蚀或刻蚀剖面不合格引起 选择比 同一刻蚀条件下，刻蚀一种材料比另一种材料的速率快多少 高选择比的刻蚀工艺，在刻蚀一种材料的同时不刻蚀其他材料，可保护光刻胶和其余部件，工艺越先进，对选择比 要求越高 其他指标 均匀性、残留物、聚合物、等离子体诱导损失、颗粒沾污、宽深比等 资料来源： 《半导体制造技术》（中国工信出版集团、电子工业出版社，Michael Quirk, Julian Serda著） ， 等离子干法刻蚀是目前主流刻蚀工艺 湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向钻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的刻蚀，或用于干法刻蚀后清洗残留物等 干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，通常采用等离子干法刻蚀，等离子干法刻蚀机主要有ICP、CCP刻蚀机等 等离子干法刻蚀机，在反应腔中将气体激发为高速运动（高能量）的等离子状态，并控制等离子气体的运动方向，使等离子轰击 晶圆表面的薄膜（物理刻蚀）或与薄膜发生反应（化学刻蚀）或两者结合（物理化学混合），实现刻蚀 决定刻蚀效果的主要指标有：等离子能量和等离子浓度 表2：刻蚀机按工艺分为湿法和干法刻蚀，干法刻蚀为主流 工艺 实现方式 优点 湿法刻蚀 化学试剂 （酸、碱等） 腐蚀 1、对材料的刻蚀选择比较高 2、对器件的损伤较小 3、设备成本较低 物理方法 1、刻蚀剖面各向异性，具有较好的侧壁剖面控制 2、较好的线宽偏差控制 3、最小的光刻胶脱落或粘附问题 4、较好的片内、片间和批次间刻蚀的一致性 5、较低的材料消耗和废气处理费用 干法刻蚀 化学方法 物理化学混合方法 资料来源：《半导体制造技术》（中国工信出版集团、电子工业出版社，Michael Quirk, Julian Serda著）， 图4：化学和物理干法刻蚀原理 资料来源：《半导体制造技术》（中国工信出版集团、电子工业出版社，Michael Quirk, Julian Serda著）， 干法等离子体刻蚀机中最常见的是CCP和ICP刻蚀机 干法等离子体刻蚀中最常见的是电容性耦合等离子体刻蚀（CCP）和电感性耦合等离子体刻蚀（ICP），两者激发等离子体的方式不同 CCP为电容极板激发等离子体，ICP由电感线圈激发等离子体，两者涵盖了绝大部分刻蚀应用 双频电源CCP刻蚀可在一定程度上改善CCP刻蚀不能单独控制等离子体浓度和能量的特点 ICP刻蚀设备按结构不同又分为螺旋状线圈ICP和平面