硅基光波导器件端面耦合结构的研究-光学工程专业论文.docxVIP

硅基波导器件端面耦合结构的研究 硅基波导器件端面耦合结构的研究 哈尔滨工程大学硕士学位论文 哈尔滨工程大学硕士学位论文 摘 要 在光通信、互连网和计算机等信息产业迅速发展的今天，数据传输与信息处 理的速度已经逐渐向 Tbit/s 量级迈进，而传统的电互连技术已经难以满足高速通 信及高性能微电子芯片进一步发展的需求。硅基光互连作为现在最有前途的解决 方案之一，已经逐渐的成为当前的一个研究热点。硅基光电子器件具有与标准 CMOS 工艺兼容、可与微电子集成电路集成、尺寸紧凑、功耗小、成本低和潜在 高速等诸多优点。 由于硅与 SiO2 或者空气具有非常大的折射率差，硅基的光波导具有很强的 限制光场的能力，硅基的光波导可以制作成非常小的尺寸，通常其横截面尺寸小 于 1μm。这样的非常小尺寸的硅波导带来高器件集成度的同时，也带了一个严重 的问题——硅波导与光纤的耦合损耗非常大。一般来说，单模光纤的芯径尺寸约 为 8~10μm，远远大于横截面尺寸通常小于 1μm 的 SOI 光波导，光从光纤进入这 种小尺寸的波导通常会带来很大的损耗，为了实现光纤与小尺寸波导的高效耦合， 我们就需要制作模斑变换器来实现光从光纤到波导的模式转换。反向楔形模斑变 换器是现在硅基光子学领域应用最多的模斑变换器之一，其具有很高的耦合效率、 带宽非常大、易于做水平端面的封装、制作相对简单、偏振相关度低等优点。 本论文深入研究了硅波导的数值模拟的理论方法、详细分析了硅波导的损耗 的三种主要来源吸收、散射、泄漏。根据分析得出了波导侧壁的损耗是我们现在 波导损耗的主要部分，并采用 Payne-Lacey 理论得到了，由于波导侧壁粗糙引起 的散射损耗经验公式。介绍了三种测量波导损耗的方法：截断法、F-P 腔光谱分 析法、傅里叶频谱分析法。 对于反向楔形模斑变换器的设计，我们首先确定了反向楔形模斑变换器的整 体结构和材料。然后利用软件模拟分析并优化了反向楔形模斑变换器的结构。通 过模拟给出了楔形波导的尖端宽度和模式转换损耗之间的关系，不管对于TE模 还是TM模，楔形尖端的宽度越小，模式转换损耗越小。对于TE模，当尖端宽度 小于120nm时就可以获得较低的模式转换损耗（小于0.5dB），而对于TM模来说 当尖端宽度为60nm时，模式转换损耗依然高达0.8dB，TM对楔形尖端的要求更 高。楔形波导的长度大于300μm时，模式转换损耗可以忽略不计。 摸索了电子束曝光剂量、掩膜厚度选择、ICP (Inductive Coupled Plasma)刻 蚀条件等影响无源波导制作的关键工艺参数。利用一次电子束曝光、一次普通光 刻套刻和两次 ICP 刻蚀的方法，制作了尖端宽度小于 60nm 的楔形波导结构，楔 形波导的质量和制作成功率也大幅度提升。 反向楔形模斑变换器在 1550nm 波长与 MFD=4μm 的光纤的耦合时，TE 模 的耦合损耗为 0.62dB/facet，TM 模的耦合损耗为 0.95dB/facet。在 C 波段和 L 波 段，TE 模平均的耦合损耗约为 1dB，TM 模的平均耦合损耗约为 1.3dB，带宽超 过 100nm，波导的传输损耗降低为 0.9dB/mm。 关键词：硅基光波导；反向楔形结构；Silicon-On-Insulator（SOI）；电子束曝光； ICP 刻蚀；耦合损耗； Abstract Along with the fast development of information industry including optical communication, internet and computer, the speed of data transmission and information processing has gradually reached to T bit/s level, so that the technology of traditional electrical interconnection cannot satisfy the requirements of the next development of high-speed communication and high performance electrical circuit. Silicon-based optoelectronic devices have shown a lot of advantages such as CMOS compatibility, integration with ICs, compactness, low power consumption, low cost, potential high-speed and so on