硅纳米孔柱阵列及其硫化镉纳米复合体系的光学特性研究-光学专业论文.docxVIP

郑州大学硕士学位论文 郑州大学硕士学位论文 摘 要 摘 要 硅纳米孔柱阵列及其硫化镉纳米复合体系的光学特性研究 麴堡王捏堂瞳主螳专业 学生姓名篮i釜至 导耍摹姓名壅堑建 最帮职称夔攫 对张纳米材料及硅基纳米复合体系的构建技术、物理特性尤其是光电特性的 硬究暴露差要夔科掌徐篷瑟实舔慧义。本论文善先对课题缝采廷隶熬技拳翩荟遗 的、一种具有三重朕次结构的碱纳米／微米结构复合体系，即硅纳米孔柱阵列 (Si．NPA)，的光反射吸收、光致发光、介电特性、电子结构特征等物理性能进行 ’歹系统蟪详维研究；并透过镞琴‘匀羧授末黧臻位多襁往学爱应技术实筏了Ⅱ一磁 族化合物半导体硫化镉在Si-NPA上的位置选择性沉积，获得了四类舆有不同结 构特征的、大两积均匀的、规则静半导体异鹱结阵列体系(CdS／Si-NPA)，并对它 们静蠢举性链进行了讨论。对上述硅纳米材搴隼与硅基缡米笈台体系豹秘瑾性麓研 究与内猩机制的探索，为它们在光电材料、发光二极管阵别以及太阳电池等领域 的可裁嫩月奠定了理论基础。主鼗研究内容瓴捂以下两个部分： 1．si啪A的光致发光、反射吸收、光学常数等光学性能及电子结构 特征的研究 采用高压水热腐蚀技术、以单晶硅为基材制备出一种大面积均整的、具 有三差垂次臻掏瓣硅纳岽／徽寒结构复合嚣系一礁纳寒魏柱臻穰(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)。首先借助于积分反射谱测量及有效介质近 辩煳大学羲士学佼论文 辩煳大学羲士学佼论文 擒 簧 似理论模型，计算褥出了与Si-NPA的物理、化学及力学憔能密切褶关的一个 重要绻掏参数一魏辩率，这是我蘸j捷叁戆诗簿多嚣褥黼魏黢搴静一秘掰方法。 闻鲢豳反射鹊测量结果和Kramers—Kronig变换理论计算得到了Si—NPA的复 折射翠、复介电函数、吸收系数等光举常数，并借助予光学常数的计算结果 对si一鼯盎憨逛予结梅特蔑避行了硬究。毙学琶敬关惹簸瑾谂疆突裘暖： si—NpA的介镦函数蹴邦(譬，@))谱图书位予4。05 ev媳宽燎_和5．0 eV的扈峰分 别源予攀晶礁岛(掰)潜中的3A eV釉4。6 eV，毽蕊者只是棚对予后学分别发生了 O．65 eV、0．4 eV的虢移。这与按照量子限域效应模型，张纳米颗粒尺寸的减小 将导辍其带隙增加的理论计算缩聚辐一致。间对，程吸收滚附近借助予Tauc’s 理论对Si-NPA韵憩子篓鞠分辑绫粟表明箕穗一定程爱主基经电单菇醚鲮蕈 鼯带豳导带分裂丽转变为具有澈导带的赝鬣拔带隙半导体，且约为2．Ol eV 和3．06 eV的双能隙值E。也与材料发光峰位相一致。这也进一步论诚了量子 聚域效应怼Si一摊默黪耪瑗整髓越蓦决定俸惩。 2。CdS／Si-NPA纳米复合体系盼制各及光学特性研究 (1)在承热檄巍拨零露l蛰粒张只有几个纳涨豹CdS熬糠的基戳上，邋过微 乳匀肢法实现了CdS纳米晶与Si—NPA的复合。实验结粜激明：该复合体系的 先致发光强度糖魄糟疯发巍增瀑了一个数爨缀，虽爻存在一峰鬻窜俄鹣蓝蠢 发毙嵫。(2)秘鲻缀整多提匏学艇应鼓拳，滤过改变生袋繇壤，翱赫感了三 种其柱截然不周结掏特征的Cds，si，NPA缒米复合奉考料。第一种燮型的 CdS／Si。N王谖复会衬辩其蠢舆熬位置逸择瞧熏长豹“环聚”翁米复合结梅； 仅改嶷上述CdCh承溶波为灌糠溶滚，帮褥懿|第二耱类溅豹CdS／Si-NPA纳 米复合材料，其典溅特征是CdS纳米膜均匀她覆盏到衬底表面，在每～硅棱 表面澎成一个个均整静“樽状”结构：嚣第三稀类翟的CdS／Si-NPA缡米复 合耪辩瓣在第二耱类型复合_瓣辩豹玺长邀程中辘戮一怒戆量瓣紫努光照射 褥得刽，其典型结梅特征为在Si～NP矗表蘧上澄每一硅柱超上定向生长嫂CdS 缡米穗。实际土，浅于CdS辩Si—NPA释电类鍪静不润，第二、三种类型 郑州大学硕士学位论文 郑州大学硕士学位论文 摘 要 CdS／Si-NPA复合体系霾予缀妻}熬硅基异矮缮型半导毒摹缡张复合薅系。光发妻|特 性研究表明：第～种类型的cds／si一Ⅻ狐复合材料的光致发光谱中除衬底红 光双发光峰外，在～495 nm出现一较强的蕊色发光峰，该峰源于CdS纳米晶 静发光，置瘗予蹙子限域效戏馒其发光峰穗毙块材CdS瑟言发生了约100 1qm 的藏移；而第二、三种类型的CdS／Si—NPA纳米复合体系具有相同的光致发 光特性，即具程相同的发光强度和发光峰位，但这两炎复合材料发光主峰相 魄枣孪庆Si-NPA发生了麴20 rim戆蓝移，这是蠹予捞赫在复合蓑鬃有效分电 函数发生变化的结果。 关键词：磋绣米孑0柱薄囊，硫化镶／毽续米扎柱阵列，光学色散关系， Kramers—Kronig变换关系，光致发光(PL)特性，电子结构 III 郑矧大学硕士学位论文 郑矧大学硕士学位