含非线性及负折射率材料的一维光子晶体中的光传播-材料物理与化学专业论文.docxVIP

摘 摘 要 摘 要 本论文围绕光与一维光子晶体的相互作用，考虑光子晶体中含非线性、色散 以及负折射率层时体系的光学特性。通过数值计算，主要完成了以下几方面的理 论研究： 第二章，首先就d函数模型的适用性进行了讨论，并对占函数模型的不足之 处进行了修正。考虑由线性介电层组成的一维光子晶体，数值计算使用占函数模 型时，光量子阱的带结构及光量子阱中本征模的场分布，并和直接通过实际厚度 计算的结果相比较，表明：当介电层的厚度比入射光波长小一个数量级左右，带 结构和场分布大体相同，仅上带边由于艿函数近似本身的局限性而存在明显差 异；通过对占函数模型进行修正，修正后的带结构和由实际厚度计算的带结构相 比较，当介电层的厚度比入射光波长小一个数量级以上时，带结构非常吻合。此 即表明：当实际介质厚度比入射光波长小一个数量级以上时，采用占函数模型， 和实际厚度计算相比，非线性介质的线性部分不会引起太大误差：当非线性效应 不是太强时，只要非线性层的厚度比入射光波长小一个数量级以上，采用占函数 模型是合适的。 其后，研究了含Kerr非线性的一维光子晶体中的类孤子模。通过匹配所有的 边界条件，求解非线性的MPBGS波动方程，利用传输矩阵方法，导出局域模的精 确表达式并进行数值求解；在线性近似下，MPBGS系统在线性势阱中仅出现分立 的局域电磁模。计入非线性后，局域电磁模演化进入线性带隙，并在线性带隙中 出现没有线性对应项的孤子类电磁本征模；计算光子晶体中加入Kerr非线性材料 后，类孤子模和入射光强、Kerr系数以及线性势阱高度的关系。发现随着线性势 阱的降低，对应于在线性带隙中开始出现类孤子本征模所需要的最小入射也降 低，即降低了激发类孤子模的阈值：尽管非线性是产生类孤子模的根本原因，但 非线性系数对类孤子及孤子环中环出现的影响不如线性势阱高度显著。 第三章，研究了非线性对场分布的影响。采用转移矩阵方法，对非线性层 采用J函数近似，研究Kerr非线性对一维光子晶体中场分布的影响。计算光子 晶体中加入Kerr非线性材料后，入射光强及频率对光子晶体中场分布形态的调 摘 摘 要 制，解释了随着本征频率的增加，场分布在势垒中衰减加快的原因；当入射光强 较小时，场分布的节点个数随光量子阱中束缚态频率的下降而增加，讨论了本征 谱及各本征分布的节点个数的成因；当光强足够强时，节点情况不会发生本质的 改变，但由于非线性的作用，波峰会发生分裂，并对该现象的成因进行了物理解 释；非线性的存在破坏了线性介质对相反入射方向的简并，分布阳l的包络也不 是严格意义的谐函数；由于势垒的存在，场强基本上局域在中间非线性层，且随 着光强的增加，光子晶体内场分布的峰值位置向入射端移动。 第四章，就非线性光学材料的光学开关行为进行了探讨。研究光子晶体中含 色散和非线性缺陷的双稳特性，对薄非线性介电层的介电函数采用了 Kronig．Penney J函数模型，色散特性采用洛仑滋振子模型。这意味着我们不仅 可以通过改变光强来调整介电函数的大小，还可以通过改变入射光场频率来调整 介电函数的大小。用传输矩阵的方法严格导出了腔中含色散与Kerr非线性媒质的 光子晶体微腔的局域模频率方程。在局域模频率方程中，局域模频率依赖于局域 光场强度及光场频率。取负Kerr系数时，在给定入射光频率下，随着局域光强的 增加，局域模频率从下带边出现，在带隙间上升，最后消失在上带边。随着入射 光强的变化，系统呈现出双稳态。这种光学双稳态性质是由于局域模频率受到局 域光强的非线性调制而移动引起的。由于色散机制的作用，与不含色散媒质的非 线性光子晶体微腔相比，我们得到了低得多的形成双稳态所需的阈值入射光强； 研究在呈对称排布的光学厚度为四分之一波长的光子晶体体系正中插入另一光 学厚度为半波长的非线性光子晶体缺陷，构成光量子阱结构，并在光量子阱中形 成缺陷态。由于缺陷层的介电常数和光强有关，光强的改变影响缺陷层的介电常 数，从而调制带边位置，起到光开关的作用。由于场强在缺陷处的局域化，从而 使缺陷层在较小入射光强时即可表现出显著的非线性效应，开关阈值得到有效降 低；在光子晶体的周期性结构中引入多个缺陷层，通过控制晶体中缺陷间的耦合 强度来实现多通道滤波器、宽带滤波器。 第五章，研究了多层体系含负折射率层的光学传输特性。通过传输矩阵方法， 给出了体系透射率的一般表达式，并讨论了含负折射率层的四层结构在入射角大 于临界角时的反常光子隧穿现象。当体系参量完全匹配时．对于任意入射光波长 及大于临界角的入射，透射率均为1。表明负折射率材料的加入，使得光子隧穿 II 摘 摘 要 距离大大增加；仅衬底层不匹配时，对于给定的衬底参量，透射率和入射波长无 关，仅和入射角相关。对于TM波，存在多层体系的布儒斯特角，使得透射率等于 l