课件：第四章结构和性能的关系分析.ppt

1986 年 1 月，瑞士苏黎世国际商用机器公司的两位科学家 Mueller 和 Bednorz 在 Ba, La 和 Cu 的硝酸盐水溶液中加入草酸水溶液作为沉淀剂，形成了草酸盐沉淀物，然后将沉淀物在 900?C 加热 5 小时使之分解并发生固相反应，将反应物压块后在 900?C 烧结，得到 Ba-La-Cu-O 系氧化物材料 (BLCO)。在测定其低温性能时意外地发现在 30 K 时出现了超导性转变，到达 13 K 时电阻下降为零。 这个结果经过多次重复实验验证后，于 1986 年 4月发表，但是当时并没有引起应有的重视。直到同年 12 月的一次学术研讨会上日本东京大学和美国休斯顿大学都宣布重复出同样的实验结果之后，才开始了一场席卷全球的 “超导热” 来看看那段特殊历史时期的一次特殊竞赛 1986 年 4 月，Mueller 和 Bednorz 报道临界温度 35 K；12 月，东京大学重复出了上述结果；同时，美国休斯顿大学朱经武等人获得了转变温度为 52 K 的 BLCO。 1987 年 2 月，日本东京大学，85 K 1987 年 2 月 15 日，朱经武等人，98 K 1987 年 2 月 19 日，中科院物理所 100 K； 1987 年 3 月 4 日，日本金属材料研究所，123 K 1987 年 3 月 4 日，北京大学 123 K 1987 年 3 月，联邦德国 125 K 1987 年，诺贝尔物理学奖授予了 Müller 和 Bednorz。纵观历史，一项开创性的科学事件出现后仅仅 1 年就获得了物理学最高荣誉奖是极为罕见的。可见这两位科学家的工作所具有的划时代的意义。正是他们的工作打开了高温超导体的大门。 AxC60 有机超导体 C60 分子与碱金属形成的 AxC60 是离子化合物，具有超导性，是目前人们非常关注的一类有机超导体。 AxC60 是球形结构, 属三维超导体。 已经研制出的AxC60 超导体中，RbTl2C60 临界温度为 48 K，而 Rb2.7Tl2.2C60 的临界温度为 45 K。 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 英国物理学家约瑟夫·汤姆孙 德国物理学家保罗·德鲁德 德国物理学家阿诺德·索末菲 * 瑞士物理学家和德国物理学家 * 单晶硅是产量最大、应用最广的半导体材料。具有良好的热导率和高温力学性能、优异的半导体性质，可以稳定地制备大直径无位错的单晶。世界上几乎所有的集成电路都是单晶硅制成的，而且集成电路用硅占单晶硅整个用量的 80% 以上。此外，绝大多数的电力电子器件 (可控硅、整流器等)、功率晶体管都是单晶硅制成的。 化合物半导体 化合物半导体一般是由围绕周期表中IV族对称位置的元素组成的。 GaAs 砷化镓具有闪锌矿结构。也就是和硅、锗具有相似的结构。 优点：工作温度较高，承受的电压较大，可以在更高的频率下工作，有较好的抗辐射能力等 缺点：提纯和制备 GaAs 单晶比硅困难得多，GaAs 的寿命也比较短。 GaAs目前只用于 一些特殊的场合。 化合物半导体 化合物半导体的优点是具有范围较宽的禁带和迁移率，可以满足不同场合的特殊要求 在一些化合物半导体中，应用了非化学计量原理来产生杂质能级，此时组分的控制特别重要 由于纯度的限制，化合物半导体发展较为缓慢。事实上，就整个半导体工业来说，材料工艺的限制一直是器件发展步伐缓慢的原因。尽管理论已经非常成熟。 什么材料可能成为半导体？ 1948年晶体管的发明诱发了对类似于硅和锗的单质半导体的探索；1952年出现了 III-V 族化合物，随后又出现了一系列其它的化合物，大大拓宽了半导体的选择余地。 物理学家用固体物理的能带理论来计算，试图发现新的半导体材料；但是计算是十分繁琐的。 从化学角度寻找半导体可以应用 Mooser 和Pearson 提出的一个经验公式，满足了这个经验的化合物都可能是半导体。 再来看一看砷化镓 GaAs具有闪锌矿结构。其结构单元由一个 Ga 和一个 As 原子组成。每个原子都被 4 个异种原子包围。 Ga 提供 3 个电子，As 提供 5 个电子，共 8 个电子组成了 4 个共价键。 每个化学式单位的价电子数 ne = 8 每个化学式单位的阴离子数 na = 1 每个阴离子的阴-阳离子键数 Na = 4 (or 0) 每个阳离子的阴-阳离子键数 Nc = 4 (or 0) 实际测试表明：与元素半导体不同，GaAs中电子沿键的分布是不对称的，偏向电负性较高的 As 原子。每个 As 原子获得 ?0.46e 的净电荷，而每个 Ga 原子则带 0.46e 的正电荷，从而构成了极性键，使得