课件：硅的性质及有关半导体基础理论讲义.ppt

电子和空穴的电荷相等而符号相反，他们的能量状态也相反。也就是说电子的低能量状态相当于空穴的高能量状态。电子接受能量之后，使它从低能量级跃迁到高能量级上去，空穴却相反，接受能量的结果，使它从电子的高能量级转到低能量级。 从上述可知，半导体的电子、空穴都能参与导电，提供电流。故称电子和空穴都是载流子。由空穴引起的导电称为空穴导电。由电子引起的导电称为电子导电。半导体具有这两种不同的导电机构，是半导体的重要特征。许多半导体器件正是利用这一特征而工作的。 上述都是针对结构完整、完全纯净的半导体中的电子状态的一般情况。此种半导体称为本征半导体。对应的导电称本征导电。 本征导电的特点是两种载流子同时产生，又同时参加导电，并且它们的数目完全相等。 2、杂质的影响 实际上半导体材料晶格中总是含有一些缺陷。半导体晶格内存在着各种与组成半导体的元素不同的杂质原子，有时我们还有意识的、人为的把一定的杂质元素引入半导体晶格。 实践证明，即使含有极微量的杂质和缺陷，可以对半导体的各种性质产生决定性的影响。半导体的导电性主要由所含的杂质和缺陷决定的。在杂质和缺陷附近可能形成束缚电子的状态。 3、P型半导体和N型半导体 主要由施主或受主决定导电性，有时称为杂质导电性。 N型半导体——如果杂质是施主，则导电性主要依靠由施主激发到导带的电子。这种主要依靠导带电子导电的半导体常称为N型半导体。 P型半导体——如果杂质是受主，导电性主要依靠价带中的空穴。这种主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。 由此可见，N型半导体主要是电子参与导电，而且电子数〉空穴数，电子称为多数载流子，而空穴为少数载流子。反之，P型半导体主要是空穴参与导电，则空穴为多数载流子，而电子为少数载流子。 一般在本征四元素半导体中 （Si或Ge）掺入Ⅲ族原子硼（B），Ⅳ族原子磷（P) 、砷（As）。硅（Si）的原子在最外面有四个价电子，它们组成稳定的共价键。Ⅲ族元素的原子硼最外面是三个价电子， Ⅳ族元素的原子磷、砷、锑在对外层则有五个价电子。 在硅中有四个价电子正好填充了晶格中的价带，当有一个Ⅳ族原子掺入时，则四个硅电子填充了价带以外，还多余一个电子，然而在杂质原子所在点也比硅原子多了一个正电荷（硅原子去掉价电子，有正电荷4e ,而Ⅳ族原子去掉价电子剩下正电5e ). 电子流动时运载着一定的电荷量，我们把这种能运载电量的粒子叫作载流子。在半导体中，电子和空穴都可以运载电量，我们把它们统称为载流子。 硅原子为Ⅳ族原子代替，效果是造成一个正电中心和一个多余电子，正电中心正好能 够束缚多余的电子，束缚状态在导带的下面。在热运动足够供给电离能时，就可以把 电子激发到导带中去，所以Ⅳ族原子在硅中里面形成施主，使半导体成为N型半导体。 Ⅲ族硼原子（B）的价电子比硅少一个，所以代替了晶格中的原子时价电子不能完全 填充价带，使价带中缺少了一个电子，使价带中有一个空穴。但是，杂质原子比硅原 子少一个正电荷 （ Ⅲ族原子去掉价电子剩下正电荷3e )，所以在晶格就如同有了一 个负电中心。则负电中心正好能束缚多余的空穴。价带中的电子有足够的激发能，就 可以填补这个空穴，同时在价带中形成自由的能参与导电的空穴。这就是受主情况， 因此， Ⅲ族杂质可以使硅成为P型半导体。 实际使用的半导体材料绝大部分都是杂质半导体，这种杂质的来源可能是人为 的掺杂或者由于晶格的不完整所致。 总之，杂质的出现对半导体性能的影响具有决定性的意义。例如：千分之几 或万分之几的杂质可以使它的电导率增加几千倍到几百万倍。 半导体五大特性∶ 掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度特性、整流特性。　　 ★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。 N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电而得此名）： 掺入少量杂质磷元素的硅晶体中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，变成自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。 P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）： 在硅晶体中掺入少量杂质硼元素，一些硅原子就被硼原子取代，硼原子最外层的三个电子与周围的硅原子形成共价键的时候，会产生一