激光MBE生长BN和AIN薄膜材料及光电性质研究-物理电子学专业论文.docxVIP

删㈣㈣㈣㈣：Y1 删㈣㈣㈣㈣ ：Y1 90925。彳 关于学位论文独创声明和学术诚信承诺 本人向河南大学提出硕士学位申请。本人郑重声明：所呈交的学位论文是本人在导 师的指导下独立完成的，对所研究的课题有新的见解。据我所知，除文中特别加以说明． 标注和致谢的地方外，论文中不包括其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包括其 他人为获得任何教育、科研机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同事对 本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 在此本人郑重承诺：所呈交的学位论文不存在舞弊作伪行为，文责自负。 学位申请人(学位论文作者)签名： 201 1年岁月‘日 关于学位论文著作权使用授权书 本人经河南大学审核批准授予硕士学位。作为学位论文的作者，本人完全了解并同 意河南大学有关保留、使用学位论文的要求，即河南大学有权向国家图书馆、科研信息 机构、数据收集机构和本校图书馆等提供学位论文(纸质文本和电子文本)以供公众检 索、查阅。本人授权河南大学出于宣扬、展览学校学术发展和进行学术交流等目的，可 以采取影印、缩印、扫描和拷贝等复制手段保存，汇编学位论文(纸质文本和电子文本)。 (涉及保密内容的学位论文在解密后适用本授权书) 学位获得者(学位论文作者)签名： 201 1年；月‘日 学位论文指导教师签名： 2 01 l 摘要包括AIN，BN，GaN和AIGaN在内的I 摘要 包括AIN，BN，GaN和AIGaN在内的I II-V族半导体具有较宽的直接带隙，在紫 外光源和探测器方面的有着很好应用前景，同时它们都具有出色的物理化学性能，因而 吸引了越来越多的科研工作者的关注。本文基于对L．MBE成膜过程的分析，明确了影 响薄膜结晶的主要的参数；通过优化实验条件，成功制备了h．BN和AIN薄膜。并通过 XRD、Raman、FTIR、SEM、EDS、XPS、UV．、乙NlR、I．V及电阻率测量等对薄膜结构、 形貌、光学及电学性质进行了的表征，研究了衬底温度、氮气压强、激光能量和本底真 空等对薄膜光电性质的影响。取得了一些有意义的结果，主要结果如下： l、对L．MBE的成膜过程进行了细致的分析，发现激光的能量密度、脉冲宽度和环 境气压共同决定了等离予体到达衬底表面的平均动能，从而和衬底温度等参数一起决定 了薄膜的质量。 2、用L．MBE在不同的衬底温度、激光脉冲能量和氮气压强下制备了BN薄膜，通 过FTIR表征，薄膜均为纯相的六方结构。薄膜的结晶状况随着温度的升高、激光脉冲 能量的增大而变好。Raman表征结果发现，在700℃、600mJ／pulse、氮气压强2×10‘2Pa 条件下制备的薄膜有明显的h-BN特征峰，表明薄膜具有一定的结晶度，通过XPS的表 征结果发现其NfB比为0．958，接近化学计量比。 3、在本底真空为5×lO击Pa不通入氮气的条件下，300mJ／pulse，不同的衬底温度条 件下了制备了AIN薄膜。XRD表征发现低于600℃时，AIN薄膜是(002)择优取向； 高于此温度时，薄膜为多晶。而且衬底的衍射峰只有在温度超过300℃时才逐步出现。 同时通过反射谱和吸收谱发现，当温度小于300℃时，薄膜具有金属性。由此推断薄膜 中含有金属Al。通过对薄膜电阻率的测量验证了这一推断。 4、在250。C，300mJ／pulse，不同的氮气压强下制备了AIN薄膜。XRD表征发现低 2×10。Pa下薄膜的结晶最优，高于2x 10‘2Pa时薄膜变为非晶。衬底峰只有在2×10之Pa 时出现了。对薄膜的电阻率测量发现，其电阻率随着气压的上升而增大，这说明氮气对 薄膜的氮损失有一定的补充，但是由于产生了碰撞而是等离子体速度变低，从而导致了 薄膜的非晶结构。光学性能的表征也与以上分析相符。 5、在700℃的衬底温度下，500mJ／pulse，不同的氮气压强下制备了AIN薄膜。XRD 5、在700℃的衬底温度下，500mJ／pulse，不同的氮气压强下制备了AIN薄膜。XRD 表征发现在2×10七Pa下沉积的薄膜结晶良好，为(002)择优取向，但发现有Al的峰 出现；IPa下沉积的薄膜结晶最优，有很好的(002)取向度；10Pa下沉积的薄膜呈现 出非晶结构。SEM表征发现2×10‘2Pa时薄膜表面有很多颗粒，对同一区域进行了EDS 测试发现，颗粒所在位置富铝但贫氮，结合XRD分析结果认为这些颗粒是金属铝颗粒。 电阻率的测量发现，2×10之Pa下沉积的薄膜导电，电阻率约为9×100Q·cm，高于1Pa 沉积的薄膜为绝缘体。通过渗流理论简单解释了薄膜导电的机理。通过透射谱发现， Al颗粒的出现影响了薄膜的透光性。然而光学带隙的计算发现，并没有变化，结合XRD 的结果可以推断，低气压下沉积的薄膜中有金属Al的出现，它的存在影响了薄膜的光