激光对闪锌矿氮化物量子阱中类氢杂质的影响-凝聚态物理专业论文.docxVIP

摘要自从1996年第一次研制出GaN蓝光激光器以来，以GaN及其合金为基础的量子 摘要 自从1996年第一次研制出GaN蓝光激光器以来，以GaN及其合金为基础的量子 阱、超品格、应变复合材料将半导体材料的发展带到了一个全新的领域，在这类材料的 推动下，量子阱激光器、高速二维电子器件和光电集成器件等得到了很好的发展。本论 文在有效质量近似理论下，运用变分法分别计算了闪锌矿结构GaN／AIGaN量子阱中类 氢杂质念的激光场的基态施主束缚能效应和闪锌矿结构GaN／AIGaN量子阱中类氢杂质 态的激光场和外加电场的竞争效应的施主束缚能；另外，还计算了半导体闪锌矿结构 InGaN／GaN步阶阱中类氢杂质态的电场和步阶束缚能的竞争效应。 首先，计算了闪锌矿结构GaN／AIGaN量子阱中类氢杂质态的激光场的基态施主束 缚能效应。结果表明束缚能取决于量子阱的结构参数和铝含量；本论文还研究了激光场 和量子束缚对杂质态的竞争效应，这些性质在本论文中分析了相关的物理原因。当杂质 位于阱宽比较窄，铝含量比较低的量子阱中时，激光场对杂质态束缚能的影响更显著。 当杂质位于闪锌矿GaN／AIGaN量子阱边缘时，铝含量，阱宽和激光场强度的变化对束 缚能的影响比较小。 其次，计算了闪锌矿GaN／AIGaN蕈子阱中类氢杂质态的激光场和外加电场的竞争 效应的束缚能。结果表明无论激光场存在与否，由于电场的存在，都可以使施主束缚能 不再关于量子阱中心成对称性分柿。当激光场强度比较弱时，电场对施主束缚能的影响 就比较强；随着激光场强度的增强，电场对施主束缚能的影响也越来越显著。 最后，计算了半导体步阶阱中类氢杂质念的电场和步阶束缚能的竞争效应。计算结 果表明在步阶阱中，电子和杂质念很大程度上依赖于电场强度和步阶垒的高度。在步阶 阱中加上匀强电场将导致施主束缚能的不对称性分布。当所加电场方向与步阶垒生长方 向相反时，无论杂质位于步阶阱中任何位置，步阶阱深度如何，电场对杂质态施主束缚 能都有着非常大的影响。然而，当所加电场方向与步阶垒生长方向相同时，无沦杂质位 置和步阶阱深度是怎样的，电场对杂质态施主束缚能的影响都比较小。 总之，在有效质量近似理论下，运用变分法分别探究了在考虑不同杂质位置，结构 参数(阱宽L和铝含量)，激光参数‰的情况下，分别计算了在闪锌矿GaN／AtGaN量子 参数(阱宽L和铝含量)，激光参数‰的情况下，分别计算了在闪锌矿GaN／AtGaN量子 阱中的施主束缚能；也计算了在施加外电场的情况下闪锌矿GaN／A1GaN量子阱中的施 主束缚能；最后，还通过特殊的附锌矿InGaN／GaN步阶阱为例，在理论上探讨了半导 体步阶阱中的类氢杂质态的外加电场和步阶垒的效应。但需要指出的是关于类氢杂质态 施加电场仍然缺少实验验证，本论文所取得的主要成果可能适用十其它基f半导体材料 的洲锌矿结构量子阱。希望这些计算结果，能够进一步激发对物理和器件应用的研究。 关键词：量子阱，激光场，电场，施主束缚能，施主杂质 ABSTRACTSince ABSTRACT Since 1 996 GaN-based blue laser has been developed for the first time，the development of GaN-based and its alloys quantum wells，superlattices，strain composite semiconductor materials has brought whole new field．Under push of such materials，quantum well lasers，high．speed two．dimensional electronic devices and optoelectronic integrated devices has been developed very well．Within the framework of effective—mass approximation，the effects of laser field the ground—state donor binding energy in zinc—blende(ZB)GaN／A1GaN quantum well(QW)have been investigated variationally；the competition effects between the laser field and applied electric field impurity states have been investigated variationally in the ZB GaN／AIGa