量子阱结构的表面势对导纳谱测试结果的影响!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ， $’ ( ### ( /LM!$’6L!(N8O5### ／ ／ （ ）／ ###F%’####$’#( %(F#$ G-1GHIJ2K-G2K6K-G ####-?3O!H?Q!2LR! P ############################################################### 量子阱结构的表面势对导纳谱测试结果的影响! 高 琦 张胜坤 蒋最敏 陆 （复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 ） ##$%% （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’’’ ’ ( ’’’ 分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱 测试，由于覆盖层厚度的不同以及外加偏压的不同引起样品结构的电势分布发生变化，从而用导纳谱测量得到的 量子阱的激活能也发生很大变化，通过变偏压的导纳谱测试，可对测试结果做出正确的判断! ： ； ； !## ()(* +%# +%$#, 引 言 半导体量子阱的能带偏移量是量子阱器件的重 要结构参数，它决定着量子阱器件的许多物理特性! 近年来，人们不断地研究和完善着各种测试单量子 图 （）量子阱样品等效电路图 ［］ ［］ 7 阱能带偏移的方法 诸如 ， ，导纳 ! -./ 0,12 （）测试等效电路图 ［］ % 谱 等方法都已成功地运用到量子阱样品能带偏 ［］ 移的测量上 其中，导纳谱更是被广泛地用于量子阱 量子阱的电导 % 可表示为 ! ; ［，］ 样品能带偏移的测量中$* 但是，在导纳谱的测试 ! （ ） （ ） $% ’ ( ’ !* +* # ? @ 5A（ @ C=） 中，一般没有考虑样品结构的电势分布对导纳谱测 = )’ B )’ 试的影响，而常常采用零偏压下的导纳谱来计算样 !* 7