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南京信息职业技术学院《设计功率放犬器》论文 题目： 采用射频功率MOSFET设计功率放大器 院系：电子信息学院 班级：11212P 姓名：吕远庆 学号：23 采用射频功率MOSFET设计功率放大器 摘要: 本文介绍了采用射频功率MOSFET设计50MHZ/250W功率放 大器的设计过程。 叙词： 功率放大器，射频 Abstract： The design procedure of 50MHz/250W power amplifier with R F power MOSFET is introduced in this paper. Keyword: power amplifier radio frequency 1.引言 本文设计的50MHz/250W功率放大器采用美国APT公司牛 产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT 公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都 进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器。下面介绍该 型号功率放大器的电路结构和设计步骤。 2. 50MHZ/250W射频功率放大器的设计 高压射频功率放大器的设计与传统低压固态射频功率放大 器的设计过程有着显著的不同，以下50MHz/250W功率放大器 的设计过程将有助于工程技术人员更好的掌握高压射频功率放 大器的设计方法。 2.1射频功率MOSFET管ARF448A/B的特点 ARF448A和ARF448B是配对使用的射频功率MOSFET, 反向耐压450V,采用TO-247封装，适用于输入电压范围为75 V-150V的单频C类功率放大器，其工作频率可设置为13.56M Hz、27.12MHz 和 40.68 MHz。ARF448A/B 的高频增益特性如 图1所示。从图中可以看出，当频率达到50MHz时，ARF448 的增益约为17dB。 2.2设计指标 50MHZ/250W功率放大器的设计指标如下： (1)工作电压：＞100V； (2)工作频率：50MHz； (3)增 益：＞15dB； (4)输出功率：250W； (5)效 率：＞70%； (6)驻波比：＞20:1； 2.3设计过程 功率放大器的输入阻抗可以用一个Q值很高的电容来表示。 输入电容的取值可以参照相应的设计表格，从中可以查出对应 不同漏极电压时的电容取值。当ARF448的漏极电压为125V时, 对应的输入电容值为1400pFo输入阻抗取决于输入功率、漏极 电压以及功率放大器的应用等级。单个功率放大器开关管负载 阻抗的基本计算公式如式(1)所示。 Rpdd ? \ds(0n)广 1 * 卩。 注意，利用公式(1)可以准确的计算出A类、AB类和B 类射频功率放大器的并联负载阻抗，但并不完全适用于C类应 用。对于C类射频功率放大器，应当采用式(2): ＜ ■ Rp-(0.93Vdd)2/l.2Po ＜ 可以算出，当Vdd为150V时，Rp的取值相当于Vdd为50 V时的9倍，这对输出负载匹配非常有利。但是，需要注意的是，此时功率MOSFET输岀电容的取值并没有发生明显的变化。 由于高压状态下的并联输岀阻抗显著增大，输出容抗也将显著 增大。换句话说，此时输岀容抗将起主要作用。因此，在设计 过程中，应当采取相应的措施克服输出容抗的作用。 推挽工作过程需要一个平衡电路，每个开关管的漏极均与 一个双股扼流电感相连，采用这样的结构有利于磁通的平衡。 综合考虑最大输出功率和最坏工作条件，Vdd应取为125Vo 这样，每个开关管将提供125W的输出功率，与1400pF的输出 电容Cos并联的漏极阻抗为90欧姆。可以采用增加分流器或串 联电感的方法对输出电容进行补偿。由于已经在开关管的漏极 上采用了双股扼流电感，因此输岀电容补偿措施可以考虑采用 串联补偿电感。 为了使漏极阻抗呈纯阻性，应当在开关管的漏极上串联电 感。Rp可以通过公式(2)计算得到，而Cos是Vdd的反函数。 计算岀Rp和Xcos之后，选取适当地串联电感，可以实现共扼 兀配，如图2所示。其中，Cop与并联输岀阻抗Cos有关。 通过公式(2)可以计算出Rp等于90欧姆，输出电容为1 25pFo在50MHz频率下，电抗Xcos为一j25?4欧姆。由此可以 算出Rs为6.6欧姆，而所需的最优取值为6.25欧姆。这就需要 将漏极电压稍稍调低或者将输出功率 稍稍调高即可获得所需的最优取值。但是，在实际工作过 程中，如果不能通过调整漏极电压或输出功率的方法获得所需 的串联等效阻抗值，可以考虑在开关管上并联一个电容以增大 Cos的取值，这样Ls的取值也将相应的变化。增大JLs使Xcos 过补偿可以增大有效Rs值。如果在负载端增加一个分流电容， 可以增大有效Rs值。图3中的电容C8就是这个分流电容。这 样，电感、分流