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实验九、 霍尔效应 主讲教师：刘科 测电导率 ：电阻率的倒数 电导率测量方法如下图所示。设B’C间距离为L，样品横截面积为S=bd，流经样品电流为IS，在零磁场下，测得BC间电压为VBC,则 * 大学物理实验 精品课程 * 大学物理实验 精品课程 Edwin Hall（1855～1938） 霍尔效应是霍尔 (Hall) 24岁时在美国霍普金斯大学研究生期间，研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。 背景介绍 霍尔效应 量子霍尔效应 长时期以来，霍尔效应是在室温和中等强度磁场条件下进行实验的。1980年,德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing)发现在低温条件下半导体硅的霍尔效应不是常规的那种直线，而是随着磁场强度呈跳跃性的变化，这种跳跃的阶梯大小由被整数除的基本物理常数所决定。 这在后来被称为整数量子霍尔效应。由于这个发现，克利青在1985年获得了诺贝尔物理奖。 背景介绍 分数量子霍尔效应 高纯度半导体材料 超低温环境：仅比绝对零度高十分之一摄氏度（约－273℃） 超强磁场：当于地球磁场强度100万倍 背景介绍 崔琦 Robert Laughlin Horst Stormer 构造出了分数量子霍尔系统的解析波函数 1998年的诺贝尔物理学奖 分数量子霍尔效应 实验原理 现象 —— 霍尔效应 在长方形导体薄板上通以电流，沿电流的垂直方向施加磁场，就会在与电流和磁场两者垂直的方向上产生电势差，这种现象称为霍尔效应，所产生的电势差称为霍尔电压。 理论分析 磁场中运动载流子受洛伦兹力作用 F=qvB 电荷聚集形成电场 F=qE 电场力与洛伦兹力达到平衡，形成稳定电压UH mA - B mV 又考虑到(n为载流子浓度) 实验原理 令： 霍尔元件的灵敏度. IS为流过霍尔元件的电流，即其工作电流. —— 如果已知霍尔片的灵敏度KH，用仪器测出UH和IS即可求得磁感应强度B的量值. 金属的霍尔系数为 式中n为载流子浓度， e为载流子所带的电量。 是一常量，仅与导体材料有关，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数 —— 当给定 ，改变 时可得到 ， 呈线性关系，直线斜率就是 。可求得 由 可以确定以下参数 ： ①导电类型 如图： 由于运动电荷受到洛伦兹力的作用，使其S侧积累负电荷，P侧积累正电荷，因此电势差是P点高于S点， 则 为N型半导体。 + + + + + + — — — — — — B 带正电的粒子在洛伦兹力作用下，其正电荷向下偏移，上侧积累了负电荷，形成下高上低的电势差。这时， 则 ，所以是p型半导体。 p型半导体导电载流子为空穴，空穴相当于带正电的粒子，带正电粒子其运动方向和电流运动方向相同，如图所示： + + + + + + — — — — — — B 由以上讨论可知，霍尔电压 与载流子浓度 成反比，即导电材料的载流子浓度 越大，霍尔系数 就越小，霍尔电势差 就越小，一般金属中的载流子是自由电子，其浓度很大(大约 )，所以金属材料的霍尔系数很小，霍尔效应不显著。半导体材料的载流子浓度要比金属小得多，能够产生较大的霍尔电势差，所以霍尔片要用半导体材料做成，而不用金属材料做霍尔片。 另外载流子浓度的大小受温度的影响较大，所以要注意消除温度的影响。 还有，霍尔电压 与通过霍尔片的工作电流和电荷所受的磁场 的乘积成正比，与霍尔片厚度 成反比，霍尔片厚度 越小，霍尔电动势就越大，所以制作霍尔片时往往采用减小 的办法来增加霍尔电动势，从而提高灵敏度。 ②求载流子浓度 一般情况下可以用上式求解，但是严格说来，霍尔系数表达式中应当乘以一个修正因子 3?/8 ： 爱廷豪森效应