两嵌段共聚物在阵列受限空间中的自组装行为及其光学性能研究-材料学专业论文.docxVIP

两嵌段共聚物在阵列受限空间中的自组装行为及其光学性能研究-材料学专业论文.docx

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摘要 本文采用高分子自洽平均场理论和强相分离理论研究了二维和三维阵列受 限体系下 AB 两嵌段共聚物的自组装行为。在研究中,我们发现了很多新颖的相 结构,并把它们合理分类。此外,我们还研究了阵列受限参数对相结构的影响, 相结构之间的相互转变,以及相结构的调控等问题。 在二维阵列受限空间中,我们研究了两嵌段共聚物在正方形、长方形和三角 形阵列柱体间的自组装相行为。研究发现阵列受限的几何参数,阵列周期和柱体 尺寸显著地影响嵌段共聚物链的伸展。通过改变阵列周期和柱体尺寸大小,可以 改变共聚物链伸展区域的大小,进而实现对相界面排布,层状相的条带数及其取 向的调控。除了受限阵列的几何参数,选择性的柱体阵列也可以诱导共聚物链自 组装形成新颖的相结构。此外,通过采用相异的阵列周期,长方形和三角形柱体 阵列,破坏受限阵列 x 和 y 方向的对等性,我们实现了对相结构取向的控制。在 三角形阵列柱体间,我们发现了四种新颖的柱状相结构,并测试了它们的光子带 隙,发现共聚物相结构改善了原有柱体阵列的光学性能。 在三维阵列受限空间中,我们利用自洽平均场的方法研究了对称两嵌段共聚 物在充满正方形柱体阵列的平行基板间的自组装行为。在此研究体系中,平行基 板和正方形柱体对嵌段共聚物都有微弱的选择性。通过改变薄膜厚度、阵列周期 和柱体之间的间距,我们观察到三类相结构:层状结构,柱状结构和双连续相结 构。由于柱体在平行方向施加的受限条件,嵌段共聚物形成了八种新颖的垂直层 状相结构和八种新颖的垂直层柱状相结构,这些新颖的相结构具有不同形状和排 布。此外,我们还观察到几种新颖的双连续相结构,这些双连续相结构是平行层 状相和垂直层状相的杂交体。通过比较自由能的办法,我们证实了:在适当的参 数处,反对称平行层状相为稳定相结构。我们还通过强相分离理论解释了随着薄 膜厚度和柱体间距变化,交替柱状相(交替的十字形、交替的正方形和交替的八 边形柱状相结构)与平行层状相之间的相转变。我们的研究表明,利用受限柱体 阵列是制备新颖共聚物纳米结构材料的有效手段。 关键词:阵列受限 高分子自洽平均场 嵌段共聚物 自组装 光子晶体 ABSTRACT In this dissertation, polymeric self-consistent field theory and strong phase segregation theory are used to explore the self-assembly behavior of AB diblock copolymers in 2d and 3d array confinement. In our work, many novel structures are found and classified reasonably. In the same time, the effect of array-confinement parameters, structural transformation and the control methods of polymeric structure are investigated. In the 2d array confinement, the structures of diblock copolymer in square, rectangular and triangular pillar arrays are studied. Our study found the array-confinement parameters, i.e., pillar pitch and size significantly influence the stretching of diblock copolymers. By changing the pillar pitch and size, the polymer region is changed, and thus the phase interface, the direction and number of lamellae are changeable. Besides the array-confinement parameters, the surface field of pillars induces the formation of novel structures. Moreover, in the pillar arrays with different pillar pitches along the x and y directions, or in rectangular and triangular pil

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