磷化锢纳米材料的溶剂热制备与表征-材料加工工程专业论文.docxVIP

PAGE PAGE 3 太原理j大学硕士研究生学位论文 表 1-21nP 的能级结构17 8) Tablel-2 Band structure oflnp17，8) 带隙 Eg 1.34eV 能隙 En. O.5geV 能回RErx O.85eV 常隙 EL 1.93eV 带隙 Ex 2.1geV 自旋·轨边裂距已。 O.J leV 本征载流子浓度 I.JX I07cm3 本征电阻率 8.6xto7Q.cm 何效导带状态密度 5.7xIOI7cm.3 有效价翁状态密度 l.IxlO l 9cm 3 有效质最状态密度 mv O.6mo 农 1-3lnP 的物理性质17.8) Tablel-3 Physical properties oflnp[1.8) 电子迁移率 46∞cm2N.s 空穴迁移率 150cm2N.s 红外折射率 3.1 辐射复合系数 1.2叫O.lOcm3/s 长波横向声子能级 38.lmeV 长被纵向声子能级 42.6meV 恪点 1335K 熔点时的蒸汽压 2.75MPa 热导率 O.7W/cm.K 热膨胀系数 4.5x lO-6/1( 共价半径 O.l lOnm 密度 4.787gjcm3 (回) 5.15g1cm3 (液〉 太原 太原理工大学硕士研究生学位论文 1.3InP材料的应用 太阳能电池 InP材料作为太阳能电池材料时有较高的理论装换效率，尤其是其抗辐射性能高于 Si 和lGaAs等材料，已多有报道，特别适合应用在空间中 l91. 如果在地球同步轨道上和太空 辐射的条件下运行 10年，这三种材料制作的太阳能电池在功率损失方面存在着显著的差 别: Si为25%、GaAs为 10%25% ，而lnP为0。前期研究还表明:室温退火和少数载流 子的注入都增强了退火特性，提高了InP材料的抗辐射性能。 InP的带隙在1.4eV 附近，因 此可制备出高装换效率的太阳能电池。 1991年5月，美国航空航夭署 (NASA)发射的卫 星上己改用旧材料制作的太阳能电池 (10) 。可知，InP材料在航天应用方面有着广阔的应 用前最。 光电器件 光电器件主妥包括激光二极管 (LD)、发光二极管(LED) 和光探测器等， 主要应 用于光纤通信系统 (11]。光纤通信在13.μm 1.55μm 波段中的激光器和光探测器所 需要 的合金有 InGaAs 和 InGaAsP 等，而 InP 与这些合金的品格相匹配，所制备的器件 在光 纤通信系统中色散几乎为零，而且传输损耗率很底 (12] 。因此，InP基材料在不断发展的 光纤通信系统中将发挥 重要作用，成为光纤通信系统中的关键材料。目前，InP基器件 已经被应用在高速互联网上 [t310 电子器件 电子器件主要包括高速高频微波器件 (MISFET、HEMT、HBT)和光 电集成电路 (OEIC) [11]. InP材料由于具有高的光电转换效 率、高的电子漂移速度和高的电子迁移 率，易制成半绝缘材料，是制作高速高频微波器件的理想材料 (14). InP材料具有高的击 穿带电场、在高场中高的电 子平均速度，高的热导率以及表面复合速率比 GaAs 低差不 多三个数量级等特性，因此， InP 异质结双极晶体管 (HBT) 在低电流条件下还可以 工 作。InGaAs 外延层与InP晶格相匹配后，它的电 子迁移率和载流子浓度特别高，所做 的器件能广泛应用在几十 GHz 的频率范围以外。InP基材料在电子器件中的应用 已经成 为国际上活跃的研究领域I叫。例如: TRW 公司在InP衬底上制作的腰配高 电子迁移率 晶体管 (HEMT)，最高频率可达 400GHZ[I 6)。 太原 太原理:1::人学硕士研究生学位论文 1.4InP 材料的制备方法 1.4.1 金属有机化学气相沉积 ( MOCVD ) 金属有机化学气相沉积 ( MOCVD 或 MOVPE ) 是在气相外延生长 ( VPE) 基础 上发展起来利用金属有 机化合物作为源材料的一种新型气相沉积生长技术 ，是目前 使用较多的 一种制各方法，己 广泛师，用 于制各各种半导体纳米材料 ，如 :GaN ，GaAs ， ZnO ，InP 等。 MOCVD 是物质从气相向固相转移的外延生长过程 ，在载气的携带 下将金属有机化合物与氢 化物的混合气体通入反应腔中，混合气在加热 的衬底或外 延表面上发生热分解反应，分解后的物质通过 气相扩散在衬底附近或外延表面上再 发生 化学反应，形成按 一定晶体结构排列的化合物半导体和外延薄膜。反应后残留的尾气温 过去做粒和毒性的处理装置后被排出系统。采用该方法可以制备出形貌较好的纳 米结构 InP 。图1-3 给出了制备 InP 纳米材抖的 MOCVD 装置